机电传动教学4汇总.ppt

* 电力电子技术和电子学的关系：电子学可分为电子器件和电子电路两大分支，这分别与电力电子器件和电力电子电路相对应，两者的制造技术的理论基础是一样的，大多数工艺也相同，许多电路的分析方法也是一致的，只是两者的应用目的不同，电力电子技术用于电力变换和控制，电子学多用于信息处理。 电力电子技术和电力学（即电气工程）的关系：电力电子技术广泛应用于电气工程中，通常把电力电子技术归属于电气工程学科，是电气工程学科中的一个最为活跃的分支，是电气工程现代化的主要推动力。 电力电子技术和控制理论的关系：控制理论广泛用于电力电子技术中，它拓宽了电力电子装置和系统的性能，电力电子技术也是控制理论在实际应用中的基础元件和重要支撑技术。 * 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。 目前应用较广，但其功耗大，效率较低。 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。 关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 t O i b 图10.31 理想的GTR基极驱动电流波形 (2) GTR GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。 驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的M57215BL较为常见。 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。 为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。 2) 电压驱动型器件的驱动电路 (1) 电力MOSFET的一种驱动电路： 电气隔离和晶体管放大电路两部分 专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。 (2) IGBT的驱动 常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和 M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。 多采用专用的混合集成驱动器。 10.2.2 电力半导体器件的保护与串、并联 过电压的产生及过电压保护 外因过电压：主要来自雷击和系统操作过程等外因。 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起。 雷击过电压：由雷击引起。 内因过电压：主要来自电力电子装置内部器件的开关过程。 换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后，反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。 关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。 电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压 过电压保护措施 图10.38　过电压抑制措施及配置位置 F?避雷器　D?变压器静电屏蔽层　C?静电感应过电压抑制电容 RC1?阀侧浪涌过电压抑制用RC电路　RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路 RV?压敏电阻过电压抑制器　RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路 RC4?直流侧RC抑制电路　RCD?阀器件关断过电压抑制用RCD电路 电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种。 其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴。 外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧），或电力电子电路的直流侧。 ?????? 大容量电力电子装置可采用反向阻断式RC电路。 保护电路参数计算可参考相关工程手册 其他措施：用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管（BOD）等非线性元器件限制或吸收过电压。 过电流保护 过电流——过载和短路两种情况 保护措施 负载 触发电路 开关电路 过电流 继电器 交流断路器 动作电流 整定值 短路器 电流检测 电子保护电路 快速熔断器 变流器 直流快速断路器 电流互感器 变压器 同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分 区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。 快速熔断器 电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 选择快熔时应考虑： (1)电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定。 (2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定。 (3)快熔的I 2t值应小于被保护器件的允许I 2t值