DES+黄光区(DESPhotoroomtraining)资料.pptVIP

蚀刻 1.蚀刻机理 Cu+CuCl2→2CuCl↓（难溶解物质） 2CuCl+4Cl-—→2[CuCl3]2- 再生原理：2CuCl+2HCl+NaClO→2CuCl2+NaCl+H2O 2.同显影点类似，蚀刻断点测试目的主要是确认不同铜厚板子蚀刻速度，其次为确认蚀刻均匀度。 3. 正确的蚀刻时间通过蚀刻点(基材铜在板子上刚被蚀刻掉之点)来确定，蚀刻点必须保持在蚀刻段总长度的一个恒定百分比上。如果蚀刻点离蚀刻段出口太近，基材铜得不到充分的蚀刻，导致线距不足或蚀刻因子异常。如果蚀刻点离蚀刻段的入口太近，基材铜由于与蚀刻液过长时间的接触，可能被过度侧蚀而线路变小/异形或蚀刻因子异常。 4.按照标准做法，需要准备一张或拼起后总长度和蚀刻主槽相当的数张已知铜厚的FR4或柔板进行蚀刻，当板子开始出蚀刻槽后关闭蚀刻取出板子或待板子自动走出蚀刻线后观察板子上基材铜残留长度占总槽长的百分比。另外，在比较熟悉的情况下可采取简化的测试方法。即取1张约20x24英寸的板子,分别单独关闭前后槽蚀刻板子。从收板处取得板子后将板子平放在蚀刻槽中间位置，分别确认板子正反面基材铜分界线到蚀刻进口长度占总槽长的百分比： 蚀刻断点＝（基材铜分界线到蚀刻槽进口长度/蚀刻槽总长度）*100% 蚀刻因子确认 1.切片室制作切片并量取需确认蚀刻因子线路部分铜厚H、两边的侧角A、B 2.切片室根据测量的数据填写在专用数据记录表内保存，同时保存切片备查。 蚀刻因子计算公式：蚀刻因子＝H/（A、B中较大者） 3. 所有送检板子蚀刻因子≥3。切片室如发现蚀刻因子不满足上述规定，必须立即反馈DES当班工程师。DES当班工程师接到反馈后视情况调整蚀刻参数/确认蚀刻状态。DES当班工程师调整完毕后需要重新确认蚀刻因子，确保达到工艺要求。 去膜机理 干膜相关的制程建议 ? 保存 ? 前处理 ? 压膜(1),(2)及其它相关 ? 曝光相关 ? 显影及相关 ? 蚀刻相关 ? 去膜及相关 保存 工艺监控文件 DES Photo room training room ---DES Group 主要流程 前处理(CC/Pumice) 压膜(DVL/MEIKI) 高压后压 对位/曝光 显影 蚀刻 脱膜 AOI CC/Pumice 表面 处理 刷磨 Jet pumice scrubber 化学微蚀(H2SO4H2O2/ H2SO4微蚀液) 前处理 1.常规FR4 (外层): 去除基板表面电镀毛刺; 物理方法如刷磨或Jet pumice scrubber (内层): 化学方法如微蚀H2SO4H2O2 / H2SO4微蚀液 2. FLEX (0.5mil基材板): 2-4% H2SO4酸洗. (0.7mil基材板): a)化学微蚀H2SO4H2O2 / H2SO4微蚀液 b)酸洗 多层板:刷磨或Jet pumice scrubber 贴CC后有pad板:刷磨或Jet pumice scrubber 3. 整板镀铜flex 去除基板表面电镀毛刺: 物理方法如刷磨 贴膜前板子清洁 底片上胶带使用3M 600P防脱胶带 不同的前处理效果 干膜的组分和各制程的反应机理 ? 干膜组分 ? 感光材料及作用 ? 光反应机理(1),(2) ? 显影机理 ? 去膜机理 干膜组分 感光材料及作用 ? １．粘结剂(~~~-COOH) 热可塑性（polymer）、膜的成形、机械的強度、 カルボキシル基羧基(-COOH)を含む ? ２．单体(C=C) 丙烯酸单体、机械的強度、DFR 性能的影响、末端的 碳碳双键(C=C) ? ３．引发剂 聚合引发剂、由UV光引发à自由基的产生 ? ４．染料：a) 染料, b)露光后变色à对比度 ? ５．可塑剂：抗蚀剂的柔软度 ? ６．密着向上剂：基材的铜面密着向上剂 PDF 文 光反应机理（1） 光反应机理（2） 压膜 DVL MEIKI HRL 高压后压 高压仓 压膜(1) 相关滚轮清洁 热压轮温度: 110+/-10C 压力:4 – 6Kg/cm2 速度: 3m/min以下 热压轮硬度: 60-65度 出板温度: 60-70C 高压仓后压: 影响干膜的附着力和追从性 i) 显影前放置时间: 三天内(如果有大孔，则建议 放置更短的时间） 干膜追从性: b, c, d, e, f, g影响 压膜(2) 1) 每次使用压膜前压膜轮需用异丙醇或酒精擦拭. 2) 如更换热压轮则在使用前需对新的压膜轮进行压力分布确认.如使用压试纸 3) 如果发现轻微的溢胶(=cold flow),可