2015北邮模拟集成电路实验报告汇总.docxVIP

模拟集成电路设计 实验报告 学院： 电子工程学院 姓名： 学号： 班级： 2015年01月08日 实验一 共源级放大器性能分析 一、实验目的 1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法； 2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真； 3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线； 4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响。 二、实验要求 1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。 2、输入共源级放大器电路图。 3、设置仿真环境。 4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。 三、实验结果 1、电路电阻为10k 2、参数值 3、幅度与相位曲线 4、电路电阻为1k 5、幅频特性曲线 四、实验结果分析 实验结果：输入交流电源电压为1V，所得增益为12.91dB。 由仿真结果有：gm = 496u，R = 10k，所以增益Av = 496 * 10 / 1000 = 4.96 换算成dB则为：20lg（4.96）= 13.91 dB 经比较可知，实际增益小于理论增益。 R=1k时理论值为8dB实际为7.96dB基本符合 实验二 差分放大器设计 一、实验目的 1、掌握差分放大器的设计方法； 2、掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。 二、实验要求 1、确定放大电路； 2、确定静态工作点Q； 3、确定电路其他参数。 三、实验内容 1、电压放大倍数大于20dB，尽量增大GBW，设计差分放大器； 2、对所设计电路调试； 3、对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。 四、实验结果 1、调节MOS管宽长比和电阻大小，得到对应放大倍数，填入表格：(表中数据单位dB，R单位：Ω) W/L R11530456020kX16.4dB 845M17.3dB 424M17.8dB 282M18dB 213M30kX19.8dB 556M20.8dB 280M21.2dB 184M21.4dB 140M40kX22.2dB 417M23.1dB 211M23.6dB 136M23.8dB 104M选择W/L = 15，R = 40k作为结果数据。 W/L增大时，带宽会下降。为保证带宽，不能单纯通过改变宽长比增大增益，可同时适当改变R值达到目的。 2、电路图 3、幅频特性曲线 五、思考题 根据计算公式，为什么不能直接增大R实现放大倍数的增大？ 答： 首先，当增大R的时候会增大电路的功耗，在设计电路时功耗与增益互相制约，应选取合适的值，而不是一味牺牲功耗换取增益。 更主要的是，当R增大时，R两端电压VR = R * ID也会增大，而 Vout = 漏极电压VD = VDD – VR 所以VR增大又会使Vout减小，从而抑制增益，所以不能直接增大R实现放大倍数的增大。 六、选做实验 使用二极管代替电阻做负载，实现10dB增益。 幅频特性曲线如下图，电路的增益达到10dB。 实验三 电流源负载差分放大器设计 一、实验目的 1、掌握电流源负载差分放大器的设计方法； 2、掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。 二、实验要求 1、设计差分放大器，电压放大倍数大于30dB； 2、对所涉及的电路进行设计、调试； 3、对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。 三、实验结果 1、记录在调试电路过程中，不同电路元件参数时电路的放大倍数（表中数据单位：dB） W/L（NMOS） W/L(PMOS)4005006007006036.036.637.137.57036.737.437.938.28037.037.738.138.5选择W/L（NMOS）= 700, W/L（PMOS）= 80数据作为结果： 由结果曲线可知，此放大器的使用频率范围需要严格控制，当f增大到一定值时，增益下降速率很快。 2、电路图 3、幅频特性曲线 4、根据自己最终实验设计参数的选取，讨论电源电压的设置 电源电压的设计需要合适的范围，既不能太小，也不能太大。过小会使得场效应管不能进入到饱和区，过大会使得此放大器的输出摆幅过小，我们将电源电压设置为5V，满足实验要求，得到38.5dB的增益。 实验五 共源共栅电流镜设计 一、实验目的 熟悉软件使用，了解Cadence软