场效应管放大电路精讲研讨.ppt

20- 5 场效应管放大电路 5 场效应管放大电路 20- 5 场效应管放大电路 20- 5 场效应管放大电路 20- 1.MOSFET NMOS PMOS 增强型NMOS(E型NMOS) 耗尽型NMOS (D型NMOS) 增强型PMOS(E型PMOS) 耗尽型PMOS (D型PMOS) 2.工作原理 3.特性曲线 4. MOSFET的主要参数 上 讲 回 顾 5.1 金属－氧化物－半导体(MOS)场效应管 * 5.2 MOSFET放大电路 MOSFET和BJT放大电路的组态比较： 共源极组态 vi接栅极G v0接漏极D 共射极组态 vi接基极B v0接集电极C 共漏极组态 vi接栅极G v0接源极S 共集电极组态 vi接基极B v0接射极E 共栅极组态 vi接源极S v0接漏极D 共基极组态 vi接射极E v0接集电极C * 5.2.1 简单共源极放大电路的直流分析 g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ 步骤——直流通路 VG ID VS 5.2 MOSFET放大电路 1 假设MOS管工作于饱和区，则有 VGSQVT，IDQ0，VDSQVGSQ-VT 2 利用饱和区的V-I曲线分析电路： 3 如果出现VGSVT，则MOS管可能截至，如果 VDSVGS-VT，则MOS管可能工作在可变电阻区。