场效应管及放大电路研讨.ppt

当VGS＞０时栅极和衬底间的绝缘层中有向下的电场它将P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。向下的电场还吸引衬底的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道。 结型场效应三极管 JFET的结构与MOSFET相似，工作机理也相似。JFET的结构如图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区相连为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 (2)结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 ① 栅源电压对沟道的控制作用 ② 漏源电压对沟道的控制作用 当VDS增加到使VGD=VGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断。当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。（动画2-9） (3)结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线也有两条，它与耗尽型MOSFET的特性曲线基本相同，只不过耗尽型