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纳米TiO2光催化剂 资科1201 11 蒋鹏 光催化过程和原理 溶解氧及水和电子及空穴相互作用，最终产生高活性的羟基（O2-或者H2O2）。HO自由基（O2-或者H2O2）具有非常强的氧化性，能把大多数吸附在纳米二氧化钛表面的有机污染物（简称为R）降解为CO2和H2O，把无机污染物氧化或还原为无害或者毒性比较低的物质。 * * 目前,制备纳米TiO2的方法有很多,可归纳为气相法和液相法两大类。尽管气相法制备的TiO2纳米粉体纯度高、粒度小、单分散性好,但其制备设备复杂、能耗大、成本高的缺点又严重制约了气相法的应用和发展。相比之下,液相法具有合成温度低、设备简单、易操作、成本低等优点,是目前实验室和工业上广泛采用的制备纳米粉体的方法。 * 纳米TiO2光催化剂简介※ 纳米TiO2光催化剂的特点 纳米TiO2光催化剂的制备※ 纳米TiO2光催化剂的应用 总结 纳米TiO2光催化剂简介 什么是多相光催化剂？ 多相光催化是指在有光参与的情况下，发生在催化剂及表面吸附物（如H2O，O2分子和被分解物等）多相之间的一种光化学反应。 光催化反应是光和物质之间相互作用的多种方式之一，是光反应和催化反应的融合，是光和催化剂同时作用下所进行的化学反应。 纳米TiO2是一种新型的无机金属氧化物材料，它是一种N型半导体材料，由于具有较大的比表面积和合适的禁带宽度，因此具有光催化氧化降解一些化合物的能力，纳米TiO2具有优异的光催化活性，并且价格便宜，无毒无害等优点因此被广泛的应用。 纳米TiO2粉体 半导体是指电导率在金属电导率（约104~106Ω/cm)和电介质电导率（ ＜1-10 Ω/cm)之间的物质，一般的它的禁带宽度Eg小于3eV。 半导体的能带结构 导带 价带 禁带 Eg＜ 3eV 掺杂半导体 N型半导体 （正电荷中心起提供电子的作用，依靠自由电子进行导电） P型半导体（负电荷中心起提供电子的作用，依靠空穴进行导电） 半导体 本征半导体（纯的半导体，不含有任何杂质，禁带中不存在半导体电子的状态,即缺陷能级) 实际半导体中，由于半导体材料中不可避免地存在杂质和各类缺陷，使电子和空穴束缚在其周围，成为捕获电子和空穴的陷阱，产生局域化的电子态，在禁带中引入相应电子态的能级。N型半导体的缺陷能级Ed靠近导带，P型半导体的Ea靠近价带。 Ec Ed Ev 价带 Ec Ea Ev 导带 价带 导带 P型半导体的能级 N型半导体的能级 常见的光催化材料 photocatalyst Ebg（eV） photocatalyst Ebg（eV） Si 1.1 ZnO 3.2 TiO2（Rutile) 3.0 TiO2(Anatase) 3.2 WO3 2.7 CdS 2.4 ZnS 3.7 SnO2 3.8 SiC 3.0 CdSe 1.7 Fe2O3 2.2 α-Fe2O3 3.1 ZnO在水中不稳定，会在粒子表面生成Zn(OH)2 铁的氧化物会发生阴极光腐蚀 金属硫化物在水溶液中不稳定，会发生阳极光腐蚀，且有毒！ 光催化技术的发展历史 及研究领域 TiO2光催化剂的优点 TiO2的结构与性质 Ti O TiO6 金红石型 锐钛矿型 TiO2晶型结构示意图 TiO2光催化材料的特性 优缺点 TiO2光催化剂的催化机理 半导体的能带结构 半导体存在一系列的满带，最上面的满带成为价带（valence band，VB）存在一系列的空带，最下面的空带称为导带（conduction band，CB）；价带和导带之间为禁带。 当用能量等与或大于禁带宽度（Eg）的光照射时，半导体价带上的电子可被激发跃迁到导带，同时在价带上产生相应的空穴，这样就在半导体内部生成电子（e-）—空穴（h+）对。 光催化反应类型 反应物被光激发后，在催化剂作用下引起的催化反应： 由激发的催化剂K*所引起的催化反应 催化剂和反应物有很强的相互作用，如生成配合物，后者再经激发进行的催化反应 在经多次激发后的催化剂作用下引发的催化反应