不同切割方式对GaN基LED芯片外量子效率影响研究.pdfVIP

1 摘要 摘要 自从1991 年Nichia 公司成功研制出GaN 基蓝光LED 后，GaN 基蓝光LED 得到了迅速发展。LED 以其低耗能、长寿命、绿色环保等优点，成为2l 世纪的新 一代照明光源。随着III-V 族半导体工艺的日趋成熟，LED 芯片研制不断向高效高 亮度方向发展。随着其应用越来越广泛，如何提高GaN 基LED 的发光效率越来越 成为关注的焦点，影响LED 发光效率的因素主要有内量子效率与外量子效率，外 量子效率的提高成为半导体照明LED 关键技术之一。传统的芯片切割方式因其效 率低，成品率不高已逐渐落伍，不能满足现代化生产的需要，目前激光切割方式 正逐渐取代传统切割，而激光切割对GaN 基LED 芯片外量子效率产生一定的影响， 如何降低激光对LED 出光的影响，提升GaN 基LED 外量子效率成为目前研究的 热点课题之一。 本文主要通过实验和分析研究了紫外激光划片方式、SD 划片方式对 LED 芯 片外量子效率的影响，并对两种不同的切割方式对LED 芯片外量子效率的影响作 了比较，发现激光划痕造成的发光损耗面积越大，对芯片外量子效率的影响也越 大，芯片亮度越低。 通过理论分析与实验研究发现，紫外激光划片对 LED 芯片亮度的影响可达 14.21%，SD 划片对LED 芯片亮度的影响约为4.63% ，通过优化SD 划片工艺，减 少了激光划痕造成的发光损耗，使芯片亮度比紫外划片工艺提升 10.84%，有效提 升了器件的发光效率。 关键词：激光划片 隐形切割 外量子效率 蓝宝石衬底 万方数据 2 ABSTRACT ABSTRACT Since 1991, Nichia company has successfully developed the GaN-based LED(light Emitting Diode), GaN-based LED has been developing rapidly. LED has become the new lighting of 2 1 century, owing to its high efficiency in electricity-light transforming, long life, and less pollution. As the development of fabricating tech of III-V compound semiconductor devices. The research of LED tends to high effect and high luminance. With the increasingly wide range of applications, how to improve the luminous efficiency of GaN- based LED is become more and more popular. The main influence fac