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W和W/Ti合金靶材的应用及其制备技术北京冠金利新材料科技有限公司引言钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能,已被广泛地应用于特种钢、碳化钨基硬质合金、热强和耐磨合金、触头材料和重合金等领域;W/Ti合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能和抗氧化性能,已被成功地应用于Al、Cu与Ag布线的扩散阻挡层,而由W/Ti合金靶材制备的各种薄膜如WOx-TOx、W-Ti-C、W-Ti-O和W-Ti-N等也在电致变色材料、耐磨材料和微电子材料方面得到了广泛的研究和应用。因此,W和W/Ti合金靶材成为靶材制备研究的热点之一。W和W/Ti合金靶材的应用根据Ti含量的不同,W/Ti合金靶材具有不同的应用领域。含Ti量(质量分数)为10%的W/Ti合金靶材制备的薄膜,是通过添加Ti来克服在制备纯WO3薄膜材料时遇到的粘结问题。文献指出,Ti与O结合生成的TiO2可以改善电致变色材料WOx薄膜的稳定性,加快响应时间,延长寿命,有效改善滞色效应。胡远荣等研究了Ti掺杂WO3薄膜的结构和光学性能,结果表明:Ti掺杂后的薄膜在相同的热处理条件下晶化程度降低,晶粒细化,离子抽出和注入的通道大大增多,着色响应速度提高,循环寿命提高了4倍以上,但着色后透射率下降。随着电子技术的进步,超大规模集成电路(ULSI)得到了长足的发展,这就要求半导体器件特征尺寸不断缩小,对连接器件的布线金属性能也就有了更高的要求,各种金属布线例如Al、Cu和Ag等已经被广泛的应用和研究。布线金属本身也有一些缺点,例如易氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si与SiO2,并且在较低的温度下会形成金属与Si的化合物,充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。以Cu布线为例:扩散到Cu中的Si会成为深能级的杂质,Si扩散入Cu将增加Cu的电阻率,影响器件的可靠性,导致器件失效。因此,在布线与Si或SiO2之间需要增加一层扩散阻挡层,扩散阻挡层要求既能阻碍金属的扩散又能有效改善金属薄膜与基体的结合强度。Ti/W合金因具有稳定的热机械性能、低的电子迁移率、高的抗腐蚀性能和化学稳定性使其很容易作为布线扩散阻挡层,特别是在高电流和高温的环境下使用。大量研究表明,Ti占10%~30%的W/Ti合金阻挡层已被成功地应用于Al、Cu和Ag布线技术,其中W的作用是阻挡扩散(W在大多数金属中原子扩散率都比较低),而Ti的作用是阻止晶界扩散,同时改善阻挡层的耐腐蚀性能和粘结力。集成电路中的扩散阻挡层按其起作用的机制可分为:稳定型、反应型、填充型3种。其特点分别是:稳定型阻挡层与其两边的物质基本不反应,阻挡层本身保持化学成分基本不变;反应型阻挡层与两边的物质中的一种或两种反应,其最终被消耗尽,而丧失阻挡作用;在稳定型和反应型扩散阻挡层中,当晶界和其它的结构缺陷作为快速扩散通道,使扩散阻挡层失效,在这些扩散的通道中引入填充原子,即为填充型扩散阻挡层。只要W/Ti足够厚,未反应层将保持接触稳定性,然而晶界扩散效应使纯W/Ti阻挡能力在450~500℃、30min退火条件下失效。ShekharBhagat等人利用W-Ti(30%)靶材采用磁控溅射的方法在Ag布线与单晶硅之间制备了一层110nm厚的W/Ti薄膜,将薄膜在真空下热处理1h后发现:处理温度低于600℃时,薄膜电阻系数保持稳定;当温度接近700℃时,薄膜中Ag原子开始大量团聚并发现了Si的存在,薄膜电阻系数快速增加。由此可见,W/Ti薄膜在低温阻挡性能良好,同时还是一种潜在的高温布线阻挡层材料。近年来,利用W/Ti合金靶材制备各种W-Ti-X(C、N、O)薄膜成为薄膜材料研究的热点之一。这些薄膜具有高强度、高熔点和良好的耐蚀和耐磨性能,具有广泛的应用前景。L·R·Shaginyan等人利用W-Ti30%(原子分数)靶材在氩气和氮气混合气氛下在单晶硅上制备了100nm厚的W-Ti-N薄膜。当薄膜中N含量由0增加到25%(原子数分数)时,显微硬度由25GPa增加到65GPa,具有较高的硬度,同时生成的W和Ti的氮化物具有良好的阻挡性能。分析原因有二:一是N原子填充晶界,阻塞了快速扩散通道;二是形成了稳定化合物(比如难熔金属的氧化物或氮化物)改善了阻挡层的化学稳定性。由W/Ti靶材制备的TiO2-WO3薄膜是光催化剂材料,即使在黑暗的环境中也能保持防腐和杀菌性能,在WO3的还原能减小的情况下,仍表现出明显的量子限域效应;同时W-Ti-O还是一种良好的气敏传感材料。E·Comini等利用W-Ti(10%)和W-Ti(20%)靶材制备了n(t<700℃)或p(t>700℃)型气敏传感器,这些传感层对NO2具有很高的灵敏度且能保持较长时间的稳定性。W-Ti-N/C混合薄膜研究的重点是其力学性能和抗氧化性能。此外,人们对基于W/Ti体系的包覆