讲义磁传感器.ppt

* 由图可见；单个使用时，正向磁灵敏度大于反向磁灵敏度；互补使用时，正向特性曲线与反向特性曲线基本对称。磁场强度增加时，曲线有饱和趋势；但在弱磁场下，曲线有较好的线性。 * （2）磁敏三极管的工作原理 当不受磁场作用如图2.6-34(a)时，由于磁敏三极管的基区宽度大于载流子有效扩散长度，因而注入的载流子除少部分输人到集电极c外，大部分通过e—i—b而形成基极电流。显而易见，基极电流大于集电极电流。所以，电流放大系数=I0／Ib＜1。当受到H＋磁场作用如图2.6-34（b）时，由于洛仑兹力作用，载流子向发射结一侧偏转，从而使集电极电流明显下降。 当受磁场使用如图2.6-34(c)时，载流子在洛仑兹力作用下，向集电结一侧偏转，使集电极电流增大。 * AAA 由图2.6-35可见，磁敏三极管的基极电流Ib和电流放大系数均具有磁灵敏度，并且磁敏三极管电流放大系数总小于1。 * 如图2.4-2所示。图中显示出实际测量的几种材料和磁化磁场强度H之间的关系曲线。由曲线可见，磁致伸缩系数与H之间的关系，一般来讲，并非线性关系。在图中所示的磁场范围内，若Fe、Ni按适当的比例组合，则可将磁致伸缩系数大大减小。实践证明，在以Fe、Ni两成分为主的合金中，其中含Ni在80～83％的范围内时，磁致伸缩系数近于零。 从图中还可以看到：当H增加到某一值后，磁性材料就不再继续伸长或缩短。此时，称磁致伸缩已达到饱和。 各种材料的饱和伸缩比（）。是一个固定值，称饱和磁致伸缩系数，用表示。 由实际测量知，物体在磁化时，不仅在磁化方向上会伸长（或缩短），在偏离磁化方向的其它方向上也会伸长（或缩短），但偏离磁化方向越大，伸长或缩短比越小，到了接近于磁化方向，物体反而要缩短或伸长。所以磁致伸缩可分为两类；正磁致伸缩和负磁致伸缩。正磁致伸缩是物体在磁化方向上伸长，在垂直于磁化方向上缩短，Fe在图中所示的磁场范围内属于这一类。负磁致伸缩是物体在磁化方向上缩短，在垂直于磁化方向上伸长，Ni便是属于这一类型的例子。材料类型不同，值前可用正负号加以区别。 磁致伸缩现象在磁通门式磁敏传感器中是十分有害的，在选择传感器材料和磁芯骨架时必需于以考虑避免。但在超声波等传感器中，磁致伸缩现象则是有用的。 * 这样，就可以认为跑道形磁芯仅被沿长轴方向的磁场所磁化。在实践中，亦仅测量沿长轴方向的磁场分量。 * 结论： 1．传感器测量线圈输出二次谐波的电压振幅与被测磁场He的大小近似成正比关系，根据这种关系可以测量外磁场。 2．被测磁场的变号（即改变方向），二次谐波电压的极性随之改变。 3．传感器输出二次谐波电压的大小，除与被测磁场He近似成正比关系外，还与传感器磁芯对于He的有效动态相对导磁率，接收线圈的匝数，磁芯有效面积S，激励磁场的频率f,磁芯的饱和磁场强度Hs成正比关系，而与激励磁场的振幅Hm成反比。这些将是设计与制造传感器时的重要参数 * * 光泵磁力仪一经出现，即引人注目，到目前为止，国内外业已应用于国防工程，空间磁场测量，地磁场微变测量，区分矿与非矿异常以及预报天然地震等广泛的领域中。 本节主要介绍He4光泵磁敏传感器的物理基础、测磁原理、传感器组成及其应用等。 在实例中，将发光元素置于O点，并处在弱磁场中，此时谱线产生了分裂。 在垂直于磁场方向（即y方向）观察时，发现谱线分裂情况是：中间一条是沿磁场方向偏振的，两边的v1、v2、是以v0为中心呈对称状态的，而v1-v0=v0-v2。在v1和v2处的谱线，是沿垂直磁场方向偏振的。 沿磁场方向（即x方向）观察时，中间那条v0谱线消失了，v1、v2处各出现了旋转方向相反的圆偏振光（见图2.2-l）。 * 式中（j·H）——磁场H和壳层磁矩Pj之间的夹角。 * 如果像碱金属那样，只有一个外层电子在起作用，问题即变得简单了， 这时只考虑单电子的内量子数就可以了，即: * 当S=0时，由于l1=l2=0，所以J=0，即在磁场作用下，能级不发生分裂，表现为单重能级，称这种情况为仲氦。 当S=l时，由于l1=l2=0，所以J=1,在外磁场作用下，能级分裂为2J＋1=3个能级，能级表现为三重态，这种情况称为正氦。 * 式中 rs ——电子的总旋磁比。 * 由于塞曼效应的结果，氦原子在外磁作用下产生能级分裂之后，相邻磁子能级间的能量差是外磁场T的函数，并且与外磁场成正比。如果我们设法测出的大小，由于旋磁比是已知的，外磁场T也就得知了。 * 如图2.2-5所示。由图中可以看出，由于光线方向和外磁场方向一致，因而D1线中的 pai 成分不起作用（在光敏元件中接收不到）。 对于右旋偏振光的D1线，使样品原子产生跃迁按选择定则mj=＋1进行。23S1态的0，-1磁子能级上的原子，按选择定