金属半导体结课件.pptx

1金属半导体结4.1肖特基势垒4.2表面态对势垒高度的影响4.3镜像力对势垒高度的影响4.4肖特基势垒二极管24.1肖特基势垒金属和半导体接触：金属和半导体接触形成的结称为金属—半导体结整流效应：高阻、单向导电——整流结欧姆效应：低阻、欧姆特性——欧姆结金属与N型半导体金属与P型半导体WmWS整流效应欧姆效应WmWS欧姆效应整流效应金属和半导体接触：金属和半导体接触形成的结称为金属—半导体结整流效应：高阻、单向导电——整流结欧姆效应：低阻、欧姆特性——欧姆结金属与N型半导体金属与P型半导体WmWS整流效应欧姆效应WmWS欧姆效应整流效应3E0表示真空中静止电子的能量金属功函数：WmWm=E0－（EF）m一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空所需要的最小能量。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱。4.1.1金属和半导体的功函数4半导体功函数：WS=E0－（EF）S电子亲和势：半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。半导体的电子亲和势是一个定值，但是费米能级却随着杂质的掺杂浓度变化，因此掺杂浓度对半导体功函数有很大影响。大部分金属和半导体的功函数都约为几个电子伏特。54.1.2金属和n型半导体接触能带图(WmWs)理想情况下的金属半导体接触:(EF)S(EF)M半导体中的电子将向金属流动在金属表面积累了负电荷，半导体表面带正电荷形成由半导体指向金属的电场6VMS：接