ch02MOS器件物理基础讲课.ppt

  1. 1、本文档共60页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
MOSFET的沟道调制效应 L L’ * MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 VGS-VT=0.15V, W=100μ ?ID/?VDS∝λ/L∝1/L2 L=2μ L=6μ L=4μ * MOS管跨导gm不同表示法比较 跨导gm 1 2 3 上式中: * 亚阈值导电特性 (ζ1,是一个非理想因子) * MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果 VgS logID 仿真条件: VT=0.6V W/L=100μ/2μ MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计。 * MOS器件模型 * MOS器件版图 * MOS电容器的结构 * MOS器件电容 * C1:栅极和沟道之间的氧化层电容 C2:衬底和沟道之间的耗尽层电容 C3,C4栅极和有源区交叠电容 * C5,C6有源区和衬底之间的结电容 * 栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系 1) VGS VTH截止区 * 2) VGS VTH VDS VGS – VTH深三极管区 * 3) VGS VTH VDS VGS – VTH饱和区 * 栅源、栅漏电容随VGS的变化曲线 * NMOS器件的电容--电压特性 积累区 强反型 * 减小MOS器件电容的版图结构 对于图a:CDB=CSB = WECj + 2(W+E)Cjsw 对于图b: CDB=(W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw CSB=2((W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw = WECj +2(W+2E)Cjsw * 栅极电阻 * MOS 低频小信号模型 * 完整的MOS小信号模型 * 作业: 2.1,2.2,2.5,2.9,2.15 * 实验 熟悉HSPICE环境及MOS晶体管特性 在Windows下Tanner环境下SPICE的使用 任务: 1)完成NMOS和PMOS晶体管I-V特性的仿真,包括 A W,L不变,在不同的Vgs下,Ids与Vds关系 B W,L不变,在不同的Vds下,Ids与Vgs关系 C Vgs不变,在不同的W/L下,Ids与Vds关系 2) 习题2.5b 3) 衬底调制效应的仿真:习题2.5e 时间 4小时 实验报告要求画出各个曲线,上交电子版。 * 例:求下列电路的低频小信号输出电阻(γ=0) * 例:求下列电路的低频小信号输出电阻(γ=0) * 例:求下列电路的低频小信号输出电阻(γ=0) * 小信号电阻总结(γ=0) 对于图(A): 对于图(B): 对于图(C): * 例:若W/L=50/0.5,|ID|=500uA,分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 (tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ) tox=50 ?, Cox?6.9fF/μm2(1 ?=10-10 m, 1fF= 10-15 F) ∴tox=90 ?, Cox?6.9*50/90=3.83fF/μm2 同理可求得PMOS的参数如下:gmP ?1.96mA/V ,r0P ?10KΩ ,gmP r0P ?19.6 * 本章基本要求 掌握MOSFET电流公式及跨导公式。 掌握MOSFET小信号等效电路。 掌握MOSFET的二阶效应、用作恒流源的结构特点及其饱和的判断条件。 掌握MOS管的开关特性。 * * * * 假定漏极电压0,由于沟道电势从源极的0V变化到漏极的VD,所以栅与沟道间的局部电压差从VG变化到VG-VD。 第二章 MOS器件物理基础 * MOSFET开关 N型MOSFET 导通时VG的值(阈值电压)? 源漏之间的电阻? 源漏电阻与各端电压的关系? … * MOSFET的结构 * 衬底 Ldrawn:沟道总长度 Leff:沟道有效长度, Leff= Ldrawn-2 LD MOSFET的结构 LD:横向扩散长度 (bulk、body) tox : 氧化层厚度 源极:提供载流子 漏极:收集载流子 * MOSFET : Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor CMOS : 互补MOS n型MOSFET :载流子为电子 p型MOSFET :载流子为空穴 阱:局部衬底 * MOS管正常工作的基本条件 MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源(B、S)、衬漏(B、D)pn结必须反偏 寄生二极管 * 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 寄生二极管 *N-SUB必须接最高电位VDD! *P-SUB必须接最低电位VSS! *阱中MOSFET衬底常接源极S MOS管所有pn结必须反偏: * MOS晶体管符号 * N

您可能关注的文档

文档评论(0)

金不换 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档