1.半导体衬底讲述.doc

第一章半导体衬底主讲：张彦E-mail:zhangyan@hfut.edu.cn合工大电物学院微电子学教研室本章内容硅的晶体结构晶向、晶面、堆积模型硅晶体中缺陷和杂质晶体生长硅片的制备一、硅的晶体结构固态物质都是以晶体或非晶体的形式存在晶体：原子按一定规律周期排列单晶体：内部所有原子都按一定规律周期排列多晶体：由许多小的晶粒无规则的堆积而成。特点：长程无序半导体的主要结构形式无定形CrystallineAmorphousPolycrystallineACB合肥工业大学物理系微电子教研室张彦A.无定形B.单晶C.多晶一、硅的晶体结构硅是微电子工业中应用最广泛的半导体材料，占整个电子材料的95％左右，人们对它的研究最为深入，工艺也最成熟，在键角：109º28′集成电路中基本上都是使用硅材料。硅四面体结构硅、锗、砷化镓电学特性比较锗应用的最早，一些分立器件采用；砷化镓是目前应用最多的化合物半导体，主要是中等集成度的高速IC，及超过GHz的模拟IC使用，以及光电器件从电学特性看硅并无多少优势硅作为电子材料的优点原料充分；硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要；重量轻，密度只有2.33g/cm3；热学特性好，线热膨胀系数小，2.5*10-6/℃，热导率高，1.50W/cm·℃；单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好；机械性能良好。1、硅晶体特点硅具有金刚石立方晶格的晶体结构（diamondcubiclattice0A）0A晶格常数a=5.43（简立方格之边长）A——（约2.35）（最邻近原子间距就是1/4对角线长度）2、硅原子密度（原子数/体积）硅的金刚石结构可看成是两个面心立方晶格套构而成。在这个立方单元内：顶角：8个原子，折合成属于该晶格的原子数为1/8*8=1个面心上：6个原子，折合原子数为1/2*6=3个空间对角线：4个原子硅原子密度:（1+3+4)/a3=5.221022/cm33、复式格子和正四面体结构晶格内包含着两类不等价的硅原子。一类处于立方体的面心和顶角（A）；另一类处于立方体的体对角线上（B）；两类原子数目相同。硅晶体结构可看成是由两套面心立方沿空间对角线平移1/4对角线长度套构而成，其共价键在空间的取向对同一套面心立方格子相同，对不同套格子不同，形成复式格子。4、硅原子空间占有率定义：晶体中最小原子间距的二分之一为硬球（原子）半径，又称共价半径。硅原子半径：rsi380a1.175A43rsi3a/8结论：硅晶体结构特点——内部存在着相当大的空隙(便于其它小半径原子（杂质）的存在和运动).二、晶向、晶面和堆积模型1、晶向基本概念晶列：晶格中原子可以看成是排在一系列方向相同的平行直线系上（相互平行），这些直线系称~~。同一晶体中存在许多取向不同的晶列，不同取向的晶列上原子排列情况一般不同。晶体的许多性质都与晶列方向有关。晶向:晶列的方向。通常用其表示一族晶列（直线系）所指的方向。晶向指数：任何一个晶列的方向都可以由连接晶列中相邻两个原子（格点）的矢量表示：Am1xm2ym3z一般写成m1,m2,m3，称晶向指数等价的晶向指数：m1,m2,m3举例：一个简单晶格，以格点0为顶点，三边分别为基矢x,y,zOB：连接晶列中相邻格点的矢量，长度只有在X方向上分量为a,其余为零。m1=1,m2=m3=0,即此晶列的晶向指数为[100]。等价晶向指数:6个，记作100,XYZ轴的正反方向.OA:[111]，8个等价晶向指数（空间对角线的8个方向）OC：[110]，12个等价晶向指数（三个平面轴的夹角平分线的正反方向）2、原子线密度概念：某晶向上单位长度内的原子数目。[100]及其等价晶向上：211212a2aa12123a23a1.17a结论：[110]方向上的原子线密度相比最大3、晶面基本概念晶面：晶格中原子可以看成是排在一系列方向相同的平面系上（相互平行），这些平面系称~~。同一晶体中存在许多取向不同的晶面，不同取向的晶面上原子排列情况一般不同。晶面指数：(h,k,l),又称密勒指数，h，K，l为互质整数hkl按照下述步骤得到：a)找到晶面在晶体坐标轴上的截距，这些截距用基本矢量的整数倍来表示。b)取这些在步骤a)中得到的整数的倒数。c)找到与这三个倒数有着相同相互关系的一组最小的整数h,k和l。举例例1：如果三个倒数是1/4,1/3和1/2，那么3,4和6就是与这三个倒数有相同的相对值的三个最小