半导体物理第六章(2015.11.20)讲课.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 几点说明: ① pn结的势垒电容可以等效为一个平行板电容器,势垒宽度即两平行极板的距离 ② 这里求得的势垒电容, 主要适用于反向偏置情况 ③单边突变结的势垒电容: * ≈ 四、 扩散电容 扩散电容CD —当pn结上外加电压变化，扩散区的非平衡载流子的积累相应变化所对应的电容效应. * 少子在扩散区中的分布: ?在空穴扩散区 ?在电子扩散区 * pn结的单位面积微分扩散电容为: ? 扩散电容在大的正向偏压和低频下起重要的作用. * * 定义：反向电压增大到某一值ＶＢ时，电流急剧上升。这种现象称为pn结的击穿。 相应反偏电压ＶＢ称为pn结击穿电压。 击穿是pn的本征现象，本身不具有破坏性，但是如果没有恰当的限流保护措施，pn结则会因功耗过大而被热损坏。 击穿机制： 热击穿； 隧道击穿； 雪崩击穿---常见的主要击穿机制。 6.4 pn结的击穿 * 1. 热击穿 pn结的反向扩散流由平衡少子产生： pno = ni２/ND npo = ni２/ NA Pc |ＶR| Tj IR ni IR 反向偏压 功 耗 结温 ni２∝T3 exp(-Eg0/KT) 击 穿 反向电流密切依赖于本征载流子浓度。 产生电流正比于ni * 2. 隧道击穿 隧道效应---电子具有波动性，它可以一定几率穿过能量比其高的势垒区，这种现象称作隧道效应。 隧道击穿---pn结反偏下，p区价带顶可以高于n区导带底，那么p区价带电子可以借助隧道效应穿过禁带到达n区。当反偏压达到ＶＢ时，隧穿电子密度相当高，形成的隧道电流相当大，这种现象通常称作隧道击穿，又称齐纳击穿。 * 3. 雪崩击穿 碰撞电离---反偏空间电荷区电场较强，构成反向电流的电子和空穴可以获得较大的动能。若电子和空穴获得的动能在与晶格原子碰撞时足以将价带电子激发到导带，产生电子-空穴对，称为碰撞电离。 雪崩倍增效应---产生的电子-空穴对从电场获取足够能量，与原子撞碰又产生第二代电子-空穴对。如此继续下去，使构成反向电流的载流子数量剧增，这种现象称为雪崩倍增效应。 雪崩击穿---由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 一、 pn结势垒区的隧道贯穿 二、 隧道结的I-V特性 * 6.5 pn结的隧道效应 1、 隧道效应 隧道效应—能量低于势垒的粒子有一定的几率穿越势垒. 这是一种量子力学效应 隧穿几率与势垒的高度有关, 与势垒的厚度有关. 隧道二极管—利用量子隧穿现象的器件效应 * 一、 pn结势垒区的隧道贯穿 2、 pn结势垒区的隧道贯穿 隧道结 pn结, 两边都是重掺杂(简并情况), 以至在p区, EF进入价带; 在n区, EF进入导带. 结果: ① n区的导带底部与p区的价带顶部在能量上发生交叠 ② 势垒十分薄 电子可以隧道贯穿势垒区. * * 图6-29 二、 隧道结的I-V特性 正向电流一开始就随正向电压的增加而迅速上升,达到一个极大, (峰值电流Ip,峰值电压Vp ) 随后,电压增加,电流反而减少,达到一个极小,(谷值电流Iv,谷值电压Vv) 在Vp到Vv的电压范围内,出现负阻特性. 当电压大于谷值电压后,电流又随电压而上升 * * 图6-27 0点—平衡pn结 1点—正向电流迅速上升 2点—电流达到峰值 * 3点—隧道电流减少,出现负阻 4点--隧道电流等于0 5点—反向电流随反向电压的增加而迅速增加 * 5. 一硅突变pn结，n区的?n=5??cm，?p=1us；p区的?p=0.1??cm，?n=5us, 计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度，以及在正向电压0.3V时 流过pn结的电流密度。 表4-15（b)，4-14(a) (6-31),(6-32) * (6-38) (6-36) * 6. 条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的电容： ①-10V；②0V；③0.3V。 (6-93) (6-101) (6-10) p178 * 6. 条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的电容： ①-10V；②0V；③0.3V。 (6-93) (6-101) (6-10) p178 作业： 1。证明热平衡时，P区和N区的费米能级相等。