半导体物理学刘恩科第七版第五章非平衡载流子讲课.pptVIP

第五章 非平衡载流子 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.5 陷阱效应 5.6载流子的扩散运动 5.7 漂移运动 5.8 连续性方程 对强n型半导体(Et在EF之下)：n0、p0、n1、p1中n0最大，即n0p0 寿命简化为 对n型较重掺杂半导体，对寿命起主要作用的是复合中心对少数载流子空穴的俘获系数rp, 而与电子俘获系数rn无关。 对高阻半导体， EF在Et 与Ei之间， n0、p0、n1、p1中p1最大，即p1 n0， p0、n1， 并且 n0 p0 强n型、强p型、及高阻区是相对的，与复合中心能级Et的位置有关。 一般地，禁带中央附近的深能级Et是最有效的复合中心。 如CU, Fe, Au等杂质在Si中形成深能级，是有效的复合中心 浅能级，不是有效的复合中心 总结 假设复合中心是具有一定半径的球体，其截面积为?,截面积越大，俘获载流子的概率越大。 ?描述了复合中心俘获载流子的本领。 ?-描述电子俘获截面，?T载流子热运动速度 ?+描述空穴俘获截面 电子、空穴的俘获系数 深能级复合中心举例 Au在Si中为深能级， 双重能级：受主能级EAt, 距导带0.54eV; 施主能级EDt, 距价带0.35eV; 两能级其主要作用不同 N型Si：若浅施主不少，EF接近EC， Au接受电子成为Au-，只有受主能级EAt起作用. p型Si： Au基本上为空，释放电子为Au+，只存在施能级EDt起作用. N或p型Si，Au为有效复合中心，对少数载流子寿命产生极大的影响。 室温下，若rp=1.15x10-7cm3/s; rn=6.3x10-8cm3/s Si中金浓度为：5 x1015cm3/s; n、p Si中少数载流子寿命； =1.7x10-9s =3.2x10-9s p Si中少数载流子寿命是n Si中少子寿命的1.9倍。 掺金的Si中，少数载流子寿命与金浓度Nt成反比，当Nt 从1014cm-3增加到1017cm-3，少子寿命从10-7s减小到10-10s 5.4.3 少数载流子寿命还受样品形状和表面态的影响： 样品表面经金刚砂粗磨，寿命很短。 细磨后再经化学腐蚀，寿命变长； 样品表面相同，样品越小，寿命越短,说明表面有复合的作用， 表面复合：半导体表面发生的复合。 表面复合仍是间接复合。 有效寿命?=体内复合寿命?v + 表面复合?s 总的复合概率为 表面复合率Us：单位时间内通过单位面积复合掉的电子-空穴对数. 实验发现， Us ? 表面非平衡载流子浓度(?p)s 直观意义：非平衡载流子浓度(?p)s以速率s从表面逸出。 对n型半导体，若单位比表面积的复合中心为Nst, 则 Us=?+?T Nst (?p)s (5-49) (5-47) Us=s(?p)s s为表面复合速度，具有速度量纲 (5-48) 空穴表面复合速度为 s=?+?T Nst (5-50) 影响表面复合速度的因素：受表面物理性质和外界气氛的影响。 Ge: s大约为102-106cm/s Si: 为103-5?103cm/s 表面复合的实际意义： 表面复合速度高，注入的载流子在表面很快复合掉，严重影响器件性能；降低Us,可改善器件性能。 在金属探针注入时，较大的表面复合会减小探针效应，测量更准确。 非平衡载流子寿命 小结： 1）与材料种类有关； 2）与深能级杂质的有效复合中心有关； 3）与表面状态有关； 4）与晶体中的缺陷也有关(形成复合中心能级)。 5.5 陷阱效应：杂质能级上具有积聚非平衡载流子的效应。 实际中，陷阱对电子、空穴的俘获概率差别很大。 若rnrp,俘获电子后很难俘获空穴。俘获的电子在复合前已激发到导带，称为电子陷阱。 若rprn,称为空穴陷阱 小注入时，杂质能级上的电子数为 若rn=rp， 以电子陷阱为例 陷阱效应 小结： 1）与杂质能级位置有关，EF以上能级，越接近EF，陷阱效应越显著； 2）通常对少数载流子起陷阱作用。 使?n最大的n1值是 n1= n0 若电子是多数载流子，当Nt与n0差不多或更大，陷阱效应不明显。不能成为多数载流子效应。 单位时间通过单位面积的粒子数称为扩散流密度 扩散定律：非平衡少数载流子的扩散规律 稳定扩散：恒定(光)注入条件下，表面保持（?p）0，内部各点浓度均保持不变 应等于单位时间单位体积内由于复合而消失的空穴数 一维稳态扩散情况下非平衡少数载流子的扩散方程 载流子未到达另一端就已消失 扩散长度Lp ：标志非平衡载流子深入样品的距离 A+B=(?P)