北京理工大学徐特立学院徐特立英才班模拟电路贯通(一)讲课.pptVIP

绝缘栅型场效应管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 ? 自身没有导电沟道 耗尽型 ? 自身存在导电沟道 1-5-2 绝缘栅场效应管（MOS) 一 N沟道增强型MOSFET 结构 示意图 电路符号 * 二、 工作原理 改变栅源电压uGS 改变感生电荷 控制iD P N+ S G N+ iD=0 D – + + – uDS uGS 1．uDS =0 uGS 从0逐渐增加 场强逐渐增加 排斥空穴 吸引电子形成导电沟道 uGS =VTH * P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS 当uGS VTH ,uDS0且逐渐升高时 uDS uGS uGD VTH uGD = VTH uGD VTH * 3、N沟道增强型MOS管的特性曲线 转移特性曲线 iD=f(uGS)?uDS=const 输出特性曲线 iD=f(uDS)?uGS=const 截止区 * 二、耗尽型N沟道MOS管 耗尽型的MOS管uGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断，uGS=VP。 结构示意图 电路符号 * 耗尽型MOS管在零栅压就可以工作。 转移特性曲线 输出特性曲线 * （1）低频跨导gm MOSFET微变参数 跨导反映了栅压对漏极电流的控制能力 * （2）漏极输出电阻rds （3）极间电容 * 三、P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 * 场效应管的 符号 转移特性 输出特性 例 在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？ (a) uGS=-8V, uDS=4V, (b) uGS=-3V, uDS=4V, (c) uGS=-3V, uDS=1V, （a）因为uGSVP 工作在截止区。 G D S VDD ＋ iG RD VGG iD － ＋ － uDS ＋ － uGS RG uDG G D S （b）因为uDG= uDS –uGS= 7V uDG∣VP ∣ 工作在放大区 （c）因为uDG= uDS –uGS= 4V uDG∣VP ∣ 工作在可变电阻区 * * * * * * * 因此，二极管的动态电阻可用静态电流来计算，且ID?? rd ?。 正偏时：几?~几十? Q - + uD iD * 二极管的应用 直流稳压电源 RL ui uo D1 D2 D3 D4 稳压电路 u1 u2 整流电路 滤波电路 稳压电路 负载 ui t u t 半波整流 全波（桥式）整流 * * 负载电阻 稳压二极管的应用 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解：令输入电压达到上限时，则流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 —方程1 令输入电压降到下限时，则流过稳压管的电流为Izmin 。 —方程2 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时负载电压不变 电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 例 * Io - 4K 15V 12V + - + (a) 判断二极管是否导通 判断方法： 1、将所有二极管断开，按直流电路算出各个二极 管的开路电压； 7K -10V 13K +10V (b) 2、将最能优先导通（两端电位差最大）的一个接入 电路； 3、将接入的二极管按照短路处理后，重新断开所有 二极管，按照前面的方法，逐个接入，分析清 楚二极管导通和截止。 * 基本结构 PNP型 §1.4 晶体三极管 NPN型 B E C 基极 发射极 集电极 N N+ P 发射结 集电结 参杂浓度低、面积大 较薄、中参杂浓度 参杂浓度高、面积较集电区小 集电极 发射极 P N P+ 基极 C E B B E C B E C * 1-4-1 三极管工作原理 载流子传输过程 一、载流子的传输过程 1、发射区向基区注入电子 2、电子在基区扩散与复合 3、集电极收集电子 从外部看: IBN N N+ E C B P IEN IEP ICN ICBO IC IE IB VEE RE 放大条件：发射结正偏，集电结反偏 VCC RC * 二、BJT的放大（控制）作用： 过程： 总结： 1、BJT的放大作用靠发射极电流穿过基区 到达集电极实现，需要外部条件、内部条件 2、各个电流有确定的关系 △uo △ui IC