SnO2掺MnFeCo05Ni05O4基热敏陶瓷的制备与性能研究研讨.pptxVIP

SnO2掺MnFeCo0.5Ni0.5O4基热敏陶瓷的制备与性能研究指导老师：李栋才老师小组成员：朱贵峰（组长），王南，袁兴伟，孙浚洋，李心琦，汪家俊，胡子洋，吴维发目录一、文献综述二、实验三、结果与讨论四、结论一、文献综述简介结构类型物性参数导电机理制备方法应用1、简介NTC(NegativeTemperatureCoeffiCient)是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料。该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数(NTC)的热敏电阻。2、结构类型热敏电阻种类繁多，依照元件的工作温度，组成和结构，形状等可以分为多种结构类型低温型（1）温度常温型高温型氧化物系（2）组成与结构非氧化物系单体等细珠型(3)形状圆片型多层片式等表一各种典型NTC热敏陶瓷的主要组成与应用3.物性参数热敏电阻的基本参数包括材料常数B值、温度系数、伏安特性、时间常数及热特性常数等1.材料常数BR1是温度T1时的零功率电阻值；R2是温度T2时的零功率电阻值；国家标准规定，T1=298K（25℃），T2=358K（85℃）。对于常用的NTC热敏电阻，B值范围一般在2000K～6000K之间2.温度系数α显然，温度系数并非常数，随着T的升高迅速减小。3.零功率电阻值RT（Ω）RT指在规定温度T时，采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。电阻值和温度变化的关系式为：RT=RNexpB(1/T–1/TN)该关系式是经验公式，只在额定温度TN或额定电阻阻值RN的有限范围内才具有一定的精确度，因为材料常数B本身也是温度T的函数。4.零功率电阻温度系数（αT）在规定温度下，NTC热敏电阻零动功率电阻值的相对变化与引起该变化的温度变化值之比值。5.耗散系数（δ）在规定环境温度下，NTC热敏电阻耗散系数是电阻中耗散的功率变化与电阻体相应的温度变化之比值。δ：NTC热敏电阻耗散系数，（mW/K）。△P：NTC热敏电阻消耗的功率（mW）。△T：NTC热敏电阻消耗功率△P时，电阻体相应的温度变化（K）。6.热时间常数(τ)在零功率条件下，当温度突变时，热敏电阻的温度变化了始未两个温度差的63.2%时所需的时间，热时间常数与NTC热敏电阻的热容量成正比，与其耗散系数成反比。τ：热时间常数（S）。C：NTC热敏电阻的热容量。6.额定功率Pn在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续工作所允许消耗的功率。在此功率下，电阻体自身温度不超过其最高工作温度。7.最高工作温度Tmax在规定的技术条件下，热敏电阻器能长期连续工作所允许的最高温度。即:T0-环境温度。4.导电机理NTC热敏半导体陶瓷材料通常都是以MnO为主材料，同时引入CoO、NiO、CuO、FeO等，使其在高温下形成半反或全反尖晶石结构的半导体材料。以下分三种情况讨论其导电机理：尖晶石结构：MnO中引入可变价的氧化物FO（F:过渡金属离子），经高温烧结形成尖晶石结构。一般认为高温下（温度大于800oC）氧化锰可以以正尖晶石结构的Mn3O4形式存在，其结构式为Mn2+(Mn3+Mn3+)O42-。当引入FO氧化物时，部分F离子占据B位而形成半反或全反尖晶石结构，结构式满足电子交换条件，因而可以形成半导体材料。反尖晶石结构：MnO中引入非变价的氧化物FO，经高温烧结同样会形成反尖晶石结构，即有部分F离子进入B位而将B位的三价Mn3+置换出来。立方尖晶石结构：含锰的三元系半导体陶瓷导电机理与二元系的相似，锰的作用是形成结构稳定的立方尖晶石或连续的固溶体。目前应用较多的有Mn-Co-Ni、Mn-Co-Cu、Mn-Ni-Cu等系列，在这些系列中Co、Ni、Cu等主要以二价的形式存在，而Mn则以三价和四价的形式存在。5.制备方法（1）固相法分为高温固相反应法和低温固相反应法。高温固相反应法：大部分NTC热敏电阻材料的生产和研究仍沿用传统的高温固相法生产工艺，即采用金属氧化物或金属的碳酸盐、碱式碳酸盐作原料，经球磨、煅烧等一系列加工过程完成粉体材料的制备。低温固相反应法：是一种全新的化学合成方法，与传统的高温法相比，具有设备简单、化学反应计量易于控制、反应温度低等优点，避免了因高温反应引起的诸如粒子团聚、晶化时间长、产物不纯、产物低等不足。（2）共沉淀法共沉淀法是在含有多种金属离子的盐溶液中加入沉淀剂，得到各种成分均一的沉淀，是制备含有2种以上金属氧化物材料的重要方法。（3）溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法的基本原理是：以金属醇盐或无机盐为原料，在温和的条件下，经过水解、缩聚等反应形成溶胶或通过解凝胶法制得溶液，再将溶胶制成凝胶，干燥、焙烧，去除有机成分，最后得到无机材料。（4）流延法