VHDL高级设计技术研讨
IP核的应用-真正双端口RAM模式 真正双端口RAM模型如图4-124所示,图中上边的端 口A和下边的端口B都支持读写操作,WEA、WEB信号为 高时进行写操作,低为读操作。同时它支持两个端口读写 操作的任何组合:两个同时读操作、两个端口同时写操作 或者在两个不同的时钟下一个端口执行写操作,另一个端 口执行读操作。 IP核的应用-真正双端口RAM模式 真正双端口RAM模式在很多应用中可以增加存储带 宽。 例如,在包含嵌入式处理器MiroBlaze和DMA控制器系统 中,采用真正双端口RAM模式会很方便;相反,如果在 这样的一个系统中,采用简单双端口RAM模式,当处理 器和DMA控制器同时访问RAM时,就会出现问题。真正 双端口RAM模式支持处理器和DMA控制器同时访问,这 个特性避免了采用仲裁的麻烦,同时极大地提高了系统的 带宽。 IP核的应用-真正双端口RAM模式 一般来讲,在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式 中,能达到的最宽数据位为36比特*512,但可以采用级联 多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。当两 个端口同时向同一个地址单元写入数据时,写冲突将会发 生,这样存入该地址单元的信息将是未知的。要实现有效 地向同一个地址单元写入数据,A端口和B端口时钟上升 沿的到来之间必须满足一个最小写周期时间间隔。因为在 写时钟的
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