刘婕模电第九章研讨.ppt

另一种偏置方式 VBE4可认为是定值 R1、R2不变时，VCE4也是定值，可看作是一个直流电源。 Po、PT、PV和PTm仍然按照乙类功放计算公式进行估算。 9.4.2 甲乙类单电源互补对称电路 静态时，偏置电路使VK＝VC≈VCC/2（电容C充电达到稳态）。  当有信号vi时 负半周T1导通，有电流通过负载RL，同时向C充电 正半周T2导通，则已充电的电容C通过负载RL放电。 只要满足RLC T信，电容C就可充当原来的－VCC。 计算Po、PT、PV和PTm的公式必须加以修正，以VCC/2代替原来公式中的VCC。 9.4.3 MOS管甲乙类双电源互补对称电路 复合管 消除高频振荡 温度补偿 VBE扩展电路提供静态偏置 VBE扩展电路提供静态偏置 复合管 消除高频振荡 9.5 功率管 9.5.1 功率器件的散热与功率BJT的 二次击穿问题 9.5.2 功率VMOSFET和DMOSFET 9.5.1 功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问题 1. 功率BJT的散热 功率BJT外形 在给负载输送功率的同时，管子本身也要消耗一部分功率。 管子消耗的功率直接表现在使管子的结温升高。 当结温超过一定温度时（锗管一般约为90℃，硅管约为150℃），会使管子损坏。 在BJT中，管子上的电压绝大部分降在集电结上，它和流过集电结的电流造成集电极功率损耗，使管子产生热量。所以通常用集电极耗散功率来衡量BJT的耗散功率。 功率BJT的最大允许耗散功率PCM，总的热阻RT、最高允许结温Tj和环境温度Ta之间的关系为 Tj－Ta＝RTPCM 其中，热阻RT 包括集电结到管壳的热阻，管壳与散热片之间的热阻，散热片与周围空气的热阻。单位为℃/W（或℃/mW）。 当最高结温和环境温度一定，热阻越小，允许的管耗就越大。散热片及其面积大小可以明显改变热阻的大小。 例如，某BJT不加散热装置时，允许的功耗PCM仅为1W，如果加上120×120×4mm3的铝散热板时，则允许的PCM增至10W。 通常手册中给出的PCM，是在环境温度为25℃时的数值。 功放管的散热 2. 功率BJT的二次击穿 实际应用中，功率BJT并未超过允许的PCM值，管身也不烫，但功率BJT却突然失效或者性能显著下降。这种损坏不少是二次击穿引起的。 产生二次击穿的原因主要是由于流过BJT结面的电流不均匀，造成结面局部高温（称为热斑），因而产生热击穿所致。与BJT的制造工艺有关。 因此，功率管的安全工作区，不仅受集电极允许的最大电流ICM、集射间允许的最大击穿电压V(BR)CE和集电极允许的最大功耗PCM所限制，而且还受二次击穿临界曲线所限制。 3. 提高功率BJT可靠性的主要途径 （1）在最坏的条件下（包括冲击电压在内），工作电压不应超过极限值的80%； （2）在最坏的条件下（包括冲击电流在内），工作电流不应超过极限值的80%； （3）在最坏的条件下（包括冲击功耗在内），工作功耗不应超过器件最大工作环境温度下的最大允许功耗的50%； （4）工作时，器件的结温不应超过器件允许的最大结温的70%～80%。 对于开关电路中使用的功率器件，其工作电压、功耗、电流和结温（包括波动值在内）都不得超过极限值。 4. 保证器件正常运行的保护措施 为了防止由于感性负载而使管子产生过压或过流，可在负载两端并联二极管（或二极管和电容）； 可以用VZ值适当的稳压管并联在功率管的c、e两端，以吸收瞬时的过电压等。 9.5.2 功率VMOSFET和DMOSFET 1. VMOS管 V型开槽的纵向MOS管，称为VMOS（Vertical MOS） 电流沿导电沟道由漏极到源极的流动是纵向的 沟道很短，电流ID很大 ，可达200A N－外延层提高了耐压值，达1 000V以上 非线性失真小 2. DMOS管 双扩散MOS管，称为DMOS（Double-diffused MOS） 电流也是纵向流动的 沟道很短，电流ID很大 ，可达50A N－层提高了耐压值，达600V以上 3. MOS功率管的优点 （1）与MOS器件一样是电压控制电流器件，输入电阻极高，因此所需驱动电流极小，功率增益高。 （2）MOS管不存在二次击穿 （3）因为少子存储问题，功率MOS管具有更高的开关速度，双极型功率管的开关时间在100ns至1μs之间，而MOS功率管的开关时间约为10~100ns，其工作频率可达100kHZ到1MHZ以上，所以大功率MOS管常用于高频电路或开