功率器件新员工培训2006研讨.ppt

功率器件新员工基础培训 物料品质部 2006-03 目录 一、我司主要功率器件； 二、 二极管； 三、 MOSFET； 四、 IGBT 一、我司主要功率器件 我司产品中主要使用的功率器件如下： 二极管（功率二极管、信号二极管等）； 稳压管； 三极管； MOSFET； IGBT; 整流桥； 可控硅； 数码管、液晶等； 二、二极管－定义 二极管（Diode）：一种具有两个引出端子和单向导电性的半导体器件。 二极管广泛应用于各种电路之中，起到整流、嵌位、续流、隔离、稳压、保护等作用。 符号： 二、二极管－分类 1、按类型划分 整流二极管：正向压降低，恢复时间长，适合低频整流。如1N4007，整流桥。 信号二极管：速度快，结电容小，适合信号处理。如1N4148、BAV70 快恢复二极管：恢复时间短，恢复电流小，关断速度快。 快速软恢复二极管：恢复时间短，恢复电流小，恢复特性软。 肖特基二极管：正向压降小，无存储电荷。适合低压高频整流。 二、二极管－分类 2、按封装划分：插装、表面贴装、螺栓封装 二、二极管－分类 3、按应用划分 1）信号二极管： 开关二极管： 电流≤200mA 电压≤200V 肖特基二极管： 电流≤200mA 电压≤40V 2）功率二极管： 普通整流二极管：430A/1600V 快恢复二极管：2*120A/1400V 肖特基二极管：60A/100V 二、二极管－主要特性和参数 1 反向阻断参数： 反向耐压：VR/VRRM/VRSM，正温度系数（温度升高时，材料晶格振动加剧，平均自由 程减小，相同外加电压下载流子获得的动能减小，为达到碰撞电离倍增效应所需的外加电压增大）； 反向漏电流： IR； 2 正向导通参数: IFAV; VF； IFSM; I2t;; VT0; rT ; 3 温度参数: TC/TA, TJ/TJM, Rthjc/Rthja/Rthch; 4 耗散功率: Pd/Ptot; 二、二极管－常见应用问题 注意温度对电流处理能力的影响： 三、MOSFET－定义 MOSFET－金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), 它是一种单极型的电压控制器件，不但具有自关断能力，而且有输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快、无二次击穿问题、安全工作区宽、热稳定性能优良、高频性能好及跨导线性度高等优点。广泛应用于开关电源、小功率变频调速等电力电子设备中，具有很重要的地位。 三、 MOSFET－分类 1、按原始沟道有无和沟道类型划分： N沟道MOSFET 增强型（无原始沟道） 耗尽型（有原始沟道） P沟道MOSFET 增强型（无原始沟道） 耗尽型（有原始沟道） 业界应用最为广泛的是N沟道增强型MOSFET。且较多使用的是分立器件，模块使用量相对很少。 三、 MOSFET－分类 2、按栅结构划分 三、 MOSFET－分类 3、按封装类型划分 1） 表贴封装 三、 MOSFET－分类 2) 插装 三、 MOSFET－主要特性和参数 2、Rds（on） 三、 MOSFET－主要特性和参数 3、Vgs（th）和Qg 三、 MOSFET－主要特性和参数 4、输入电容Ciss、输出电容Coss、弥勒电容Crss 三、 MOSFET－主要特性和参数 5、热阻 三、 MOSFET－主要特性和参数 热阻（温升计算）： 三、 MOSFET－常见应用问题 1、注意温度对BVds的影响 极低温度下BVdss比室温下明显降低，设计时应避免可能的Vds尖峰电压击穿器件。BMP产品曾出现过类似失效，相关图片如下： 三、 MOSFET－常见应用问题 2、驱动不足 三、 MOSFET－主要供应商 主要供应商份额分布 （截至2004年底） 产品覆盖范围概貌（discrete） 四、IGBT－定义 IGBT－绝