第7章-外延解说.ppt

第七章 外 延 外延的基本概念 1 定义 外延（epitaxy-取向附生, 外延附生），源自于希腊语，意思是“在······上排列”。 在集成电路工艺中，外延是指在单晶衬底（如硅片）上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。 从广义上来说，外延也是一种化学气相沉积（CVD）工艺。 外延片（导电类型、电阻率、厚度） 2 外延分类 ① 在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺称为正向外延。 ② 反之，在高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺则称为反向外延。 ③如果生长的外延层和衬底是同一种材料，这种工艺称为同质外延。 ④ 如果外延生长的薄膜材料与衬底材料不同，或者说生长的化学组分、甚至物理结构与衬底完全不同的外延层，相应工艺就叫异质外延。（晶格失配） 3 外延生长类型 根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为： ①气相外延（Vapor Phase Epitaxy -VPE） ②液相外延（Liquid Phase Epitaxy -LPE） ③固相外延（Solid Phase Epitaxy -SPE） 因为气相外延技术成熟，能很好的控制薄膜的厚度、杂质浓度和晶体的完整性，在硅工艺中一直占据主导地位。温度高。 4 发展状况 为提高双极晶体管的性能而发展。 近些年来，外延工艺被用到CMOS集成电路的工艺中。而做在外延层上的CMOS电路与做在硅的抛光片上相比有以下优点： ①避免了闩锁效应； ②避免硅层中SiOX的沉积； ③硅表面更光滑，损伤最小。 制作在外延层上的双阱CMOS器件的剖面图 本章内容 7.1 硅气相外延的基本原理 7.2外延层中的杂质分布 7.3低压外延 7.4选择外延 7.5硅烷热分解法外延 7.6SOS技术 7.7分子束外延 7.8外延层参数测量 7.1 硅气相外延的基本原理 1 硅源 目前生长硅外延层主要有四种源，它们是： ①四氯化硅（SiCl4）,称为sil.tet; ②三氯硅烷（SiHCl3）,称为TCS; ③二氯硅烷（SiH2Cl2）称为DCS; ④硅烷（SiH4）。 近晶面外延生长示意图 2 外延薄膜的生长模型 从曲线我们可以观察到，高温低生长速率时，易生长单晶；而低温高生长率时，易生长多晶。 3 生长速率与温度之间的关系 各种硅源的生长速率与温度关系 从上图中可以看出一下几个特点：首先，生长率依赖于所选用的硅源，在所有温度下，SiH4的生长率最高，接下来依次按SiH2Cl2、 SiHCl3、 SiCl4的顺序递减。其次，由图中可以观察到两个生长区域，低温区（A区）和高温区（B区）。在高温区，生长速率与携带气体中所含反应剂的分压近似成线性关系。随着温度的上升，生长速率有微弱的增加，这是因为气相中反应剂的扩散能力随温度上升而有微弱的增加 4 生长速率与反应剂浓度的关系 硅外延生长速率与SiCl4浓度的关系 5 生长速率与气体流速的关系 当气体流量大到一定程度时，外延层生长速率基本不随气体流量增大而加快。这是因为当气体流速大到一定程度时，边界层的厚度很薄，输运到衬底表面的反应剂数量可能超过外延温度下的表面化学反应所需数量，这时的生长速率则由化学反应速率所决定 6 衬底晶向对生长速率的影响 衬底表面的取向对外延生长速率也有一定的影响。不同晶面的键密度不同，键合能力就存在差别，因而对生长速率就会产生一定的影响。 三 外延层中的杂质分布 1 掺杂原理 外延层中的杂质原子是在外延生长过程中被结合到外延层的晶格中。杂质的淀积过程与外延生长过程相似，也存在质量运输和表面化学反应控制两个区域。但因杂质源和硅源的化学动力学性质不同，使外延生长过程变得更为复杂。 由图可知，硅在生长速率保持恒定时，硼的掺入量随生长温度上升而增加，而磷和砷却随温度上升而下降。 2 扩散效应 当衬底和外延层都掺杂时，外延层中的最终杂质分布情况方程为： 3 自掺杂效应 在外延生长过程中，衬底和外延层中的杂质因热蒸发、或者因化学反应的副产物对衬底外延层的腐蚀，都会使衬底和（或）外延层中的杂质进入到边界层中，改变了边界层中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中杂质的实际分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应 四 低压外延 1 压力的影响 反应室