第八章半导体表面xin概述.ppt

第八章 半导体表面 1、清洁表面的获得 在10-10～10-11mmHg的超高真空状况下机械解理获得 实际表面 (Si-SiO2) 2、表面能级、表面态、表面态密度 （1）表面能级（达姆能级） （2）表面态 （3）施主表面态、受主表面态 表面态--表面引起的附加电子状态 (表面周期势场的中断, 表面杂质,表面缺陷) ①施主表面态 悬挂键上有电子—中性 施放电子后呈正电性 ②受主表面态 悬挂键上无电子—中性 得到电子后呈负电性 3、Si-SiO2界面 固定 表面电荷 可动离子 界面态 电离陷阱 （1）固定正电荷(Qfc) Qfc大小与晶向有关 Qfc(111) Qfc(110) Qfc(100) 退火后， Qfc减小 --硅和二氧化硅界面上的过剩硅离子是固定表面电荷产生的主要原因。 （2）可动离子—钠离子、钾离子、氢 化学试剂、玻璃器皿、高温器材、人体玷污 电子纯 石英材质 ? 清洁工艺、钝化层（磷硅玻璃、氮化硅、氧化铝） （3）界面态电荷 ① 本征界面态 由不饱和悬挂键形成的界面态 ② 非本征界面态 由机械损伤、晶格缺陷、硅氧断裂键、杂质等因素形成的界面态。 ③界面态上载流子的分布 电子占据界面态分布函数 ⅰ 若界面态具有同一个能量值EsD，界面态密度Ns，则施主界面态上的电子数 ⅱ 若界面态能量分布在EsD ～EsD，范围内：界面态上的电子数目为Nss(E)，则在能量E处，dE能量间隔内单位面积界面态上的电子数为 ⅲ 界面态上的电子数目 ④界面态在禁带中的分布 §2 表面电场效应 1、空间电荷区和表面势 采用MOS结构来研究表面电场效应 ?无电场时 Si-SiO2之间有电场 ?理想情况 ?金属半导体功函数为0 ?绝缘层不导电无电荷 ?界面上无界面态 以p型Si为例，讨论表面电场效应 ① VG=0 平带状态 ② VG0 VG0 VG0，并进一步增大 2、表面电荷区的电场、电荷和电容与Vs的关系 假设： ①半导体表面为一平面，且表面 线度远大于空间电荷层厚度。 ②半导体厚度比空间电荷层厚度 大得多。 ③半导体均匀掺杂，表面空间 电荷层中电离杂质浓度相等。 ④表面层均匀，电荷密度、电场、电势层表面方向不变。 ⑤表面空间电荷层中的载流子为非简并。 由一维泊松方程建立电荷密度和电势的关系 由高斯定理,则表面电荷面密度: VG0,VS0,Qs0 VG0,VS0,Qs0 表面电容? 应用以上公式讨论具体情况 a)多数载流子堆积状态 p型Si，VG0 b）平带状态 VG=0 c）耗尽状态 VG0 极限情况 d)反型状态(VG0) ⅰ 临界反型 ⅱ 弱反型 ⅲ 强反型 临界反型条件: §3 MOS结构的电容-电压特性(C-V特性) VG分为两部分： 绝缘区 V0、表面势Vs ★电荷随电压的改变就表现为电容特性 归一化的电容电压曲线 2、平带 VG=0 3、多子耗尽 4、少子反型 § 4、实际MOS结构 C-V特性 金属-半导体之间存在功函数 SiO2存在可动正离子 SiO2-Si界面存在固定正电荷 SiO2-Si界面态存在  （1）金属-半导体功函数差 接触电势差 平带电压：使半导体能带恢复平带状态所需加的栅极电压。 （2）SiO2中可动正电荷对C-V特性影响 第二种 可动电荷在SiO2中连续分布 B-T实验 1、将陪片制备成MOS结构电容，测量C-V特性曲线。 2、将MOS结构电容放入恒温箱，150度-200度保温30分钟后，栅上加10V偏压测量C-V特性曲线。 3、温度不变，栅压变为-10V，在此条件下测量C-V特性曲线。 固定表面电荷（薄层分布） § 5、表面电导及有效迁移率 1、表面电导 2、有效迁移率：特指半导体表面载流子 半导体表面层中载流子的平均迁移率。 § 6、表面电场对pn结特性的研究 栅控二极管 几种组合形式 ① VT=0 VG=0 场感应结出现后对pn结的影响 2、