2007春电力电子技术试题A解答.doc

本题得分 （注：卷面80分，平时成绩20分）一、填空题（1 小题） 1、电力电子学是由???????????? ??? 、?????????? ?????和?????????? ????交叉而形成的边缘学科2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类； 1)的电力电子器件称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。2)的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的和3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。 3、据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。 参数定义 参数名称 GTR集电极电流与基极电流之比 使IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压 维持晶闸管导通所必需的最小阳极电流 4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。 、电力电子器件的驱动电路电路与之间的电气隔离环节，一般采用隔离，例如；或隔离，例如。 、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为缓冲电路和缓冲电路。缓冲电路又称为du／dt抑制电路，用于吸收器件的过电压。缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和d／dt，减小器件的损耗。 、单半波可控整流电路、单桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路，当负载分别为电阻负载和电感负载时，晶闸管的角移相范围分别是多少（用角度表示，如0°～180°）？ 负载 单相半波 单桥式 三相半波 三相桥式 电阻 ? ? ? ? 阻感 （注：有续流二极管） ? ? ? 、在单相全控桥式反电动势负载电路中，当控制角α大于导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_____________。当控制角α于导电角δ时，且采用宽脉冲触发，则晶闸管的导通角θ=_____________。 、由于器件关断过程比开通过程复杂得多，因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。换流方式可分以下四种：???????????? ，??????????????????????????，?????????????????????? 。 、正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变??????????????????? ?_可改变逆变器输出电压幅值；改变???? _??? ?????? _可改变逆变器输出电压频率；改变_??????????????? _可改变开关管的工作频率。 1、在PWM控制电路中，根据载波和信波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制可分为?????????? 与________两种类型，采用________调制可以综合二者的优点。 二、选择题（5 小题） 1、??晶闸管稳定导通的条件（??? ）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流?? B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流?? D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压700V，则该晶闸管的额定电压是（?? ）A??? 500V???????? B? 600V???????? C? 700V?????? D1200V 3、（??? ）存在二次击穿问题A. SCR?? B. GTO?? C. GTR?? D. P.MOSFET?? E. IGBT 4、下图所示的是（????? ）的理想驱动信号波形A. SCR?? B. GTO?? C. GTR?? D. P.MOSFET?? E. IGBT ? 5、IGBT综合了（? ）和（）的优点，因而具有良好的特性。A. SCR?? B. GTO?? C. GTR?? D. P.MOSFET?? F. 电力二极管 三、计算题（4 小题） 1、单相桥式全控整流电路，U2=200V，负载中R=2Ω，L值极大，反电势E=120V。已知控制角的变化范围是： 0°~0°,考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。 2、单相全控桥式变流电路工作在有源逆变下，已知U2=200V，电动机反电势E=120V，负载中R=2Ω，极大。回答下列问题。（1）画出变流电路的电路图，并在图中标出电动机反电势的极性和变流电路输出电压的极性。2）逆变角β应限制在什么范围内画出β＝60°时的和的波形。 3、三相桥式全控整流电路，U2=100V，带阻感负载，R=5Ω，L值极大，当 =60°时，（1）变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？2）求电路的输入功率因数。（提示