03扩散前的表面处理研究.pptVIP

2003年7月 * 目 录 化学清洗用主要设备的操作规程 （清洗机，甩干机） 概述 化学腐蚀液的配制 工艺过程和工艺条件（操作示范） 各化学清洗液的浓度检测，调整 注意事项 * 概 述 形成起伏不平的绒面，增加硅片对 太阳光的吸收 去除硅片表面的机械损伤层 清除表面油污和金属杂质 硅片表面处理的目的： * 概述：硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程 单晶硅 多晶硅 * 概述：硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割 * 概述：硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层 硅片 机械损伤层（10微米） * 概述：金属杂质对电池性能的影响 * 概述：表面织构化 单晶硅片表面的 金字塔状绒面 单晶硅片表面反射率 * 化学腐蚀液的配制 多晶硅片的清洗腐蚀 九槽清洗机 1 2 3 4 5 6 7 8 9 溶液组成 300克/升NaOH 80℃ 纯水 纯水 纯水 40克/升HF 纯水 65克/升HCl 纯水 纯水 喷淋 作用 清除表面油污,去除机械损伤层 清洗硅片表面残留NaOH 清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层 清洗硅片表面残留HF 清除硅片表面金属杂质 清洗硅片表面残留HCl 充分洁净硅片表面 注：纯水是电阻率为18MΩ·cm的去离子水 * 化学腐蚀液的配制 单晶硅片的清洗和制绒 九槽清洗机 超声波清洗 单晶硅片的表面油污比较严重，需要