2第二章基本放大电路研究.ppt

一、 绝缘栅场效应晶体管 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 (三)主要参数 1、 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流的控制能力 2、直流输入电阻RGS 栅源电压与栅极电流的比值称为直流输入电阻。其值一般大于109Ω。 3、漏极饱和电流IDSS 当栅源电压UGS=0，漏、源极间加上规定电压值时，所产生的漏极电流称为漏极饱和电流。此参数只对耗尽型MOS管才有意义。 一、 绝缘栅场效应晶体管 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 4、漏极最大耗散功率PDM PDM是漏极耗散功率PD=UDSID的最大允许值，是从发热角度对场效应晶体管提出的限制条件。 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 双极型三极管 单极型场效应管 绝缘栅场效应晶体管任何时候都不能将栅极悬空，存放时应将各电极短接在一起 。 二、 场效应晶体管放大电路 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 (一)静态分析 1．分压偏置共源极放大电路 + – +UDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 栅极电位： 栅、源极间电压： 二、 场效应晶体管放大电路 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 2．自给偏压共源极放大电路 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 只适用于耗尽型场效应晶体管组成的放大电路 栅极电位： 栅、源极间电压： 栅、源极间电压是由场效应晶体管自身电流ID产生的，故称自给偏压。 二、 场效应晶体管放大电路 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 (二)动态分析 1.电压放大倍数 RG1 RD RG2 RG + – RL + – S D G T + – +UDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 交流通路 二、 场效应晶体管放大电路 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 RG1 RD RG2 RG + – RL + – S D G T + – 2．输入电阻 3．输出电阻 二、 场效应晶体管放大电路 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 例2-10 在图示放大电路中，已知UDD=20V，RD=10kΩ，RG1=200 kΩ，RG2=51 kΩ，RG=1MΩ，RS=10 kΩ，在输出端接一负载电阻RL=10 kΩ。场效应晶体管为N沟道耗尽型，其参数 IDSS=0.9mA，UGS(off)=－4V，gm=1.5mA/V。试求静态作点及电压放大倍数。 + – +UDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 解 ： (1)静态工作点 二、 场效应晶体管放大电路 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 ID=0.5mA，UGS=－1V + – +UDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 二、 场效应晶体管放大电路 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 (2)电压放大倍数 ui1 = – ui2大小相等、极性相反 一、差动放大电路的工作原理 第九节 差动放大电路 +UCC uo ui1 RC RP V1 RB RC ui2 RE RB + + + – – – V2 EE – + ui=ui1－ui2 C1 C2 （2）差模输入信号 两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化， uo= (VC1+?VC1 )－(VC2 -? VC１ ) =2 ?VC1 即对差模信号有放大能力。 一、差动放大电路的工作原理 第九节 差动放大电路 （3）比较输入信号 ui1 、ui2 大小和极性是任意的。 可分解成: 共模信号 差模信号 放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号—差分 放大电路。 例：ui1 =20 mV, ui2 = 16 mV ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV － 2 mV 二、 静态分析 第九节 差动放大电路 +UCC RC V1 RB EE IB IC + － UBE + － UCE 2IE IE + － RP的阻值很小，忽略不计。 基极电路； 静态时，发射极电位UE≈0 三、 动态分析 第九节 差动放大电路 + + - - RC RC RL 2 RL