第二章MCS51的结构和原理概述.ppt

单片机原理及其应用 刘 宏 第二章 MCS-51的结构和原理 2.1 MCS-51系列概述 芯片型号中C的意义 MCS-51系列单片机采用以下两种半导体工艺生产 HMOS 芯片型号中不带有字母“C”的，功耗较大。 CHMOS 芯片型号中凡带有字母“C”的， 具有高速度、高密度、低功耗的特点 例如 8051的功耗为630mW， 80C51的功耗只有120mW。 在便携式、手提式或野外作业仪器设备或长期无人值守自动监测、监控的仪表上是非常有意义的。因此在这些产品中最好使用CHMOS型单片机芯片。 程序存储器类型 2.2 MCS-51的基本结构和应用模式 单片机的三总线结构 以微处理器（CPU）为核心 CPU与其他部件间通过三总线连接 总线：连接功能部件间的一组公共信号线 地址总线AB：CPU输出的地址码信号，用于选择被访问的具体的存储单元、I/O端口 *地址线的根数决定了CPU的寻址范围。 CPU的寻址范围 = 2n，n-地址线根数 如： 8位地址码，可寻址 28 =256 个存储单元 16位地址码，可寻址 216 = 64K 个存储单元 数据总线 DB：CPU与存储器、I/O接口之间 (双向)传送数据的公共通路。 * 数据总线的条数决定CPU一次最多可以传送的数据宽度（位数）。 如： 8位机的DB有8条，CPU一次可读写8位数据 16位机的DB有16条，CPU一次可读写16位 控制总线 CB：用来传送各种控制或状态信号 * CPU送出和接受的对存储器、I/O接口读写 及中断等控制信号 2.2 MCS-51的基本结构和应用模式 2.2 MCS-51的基本结构和应用模式 2.2 MCS-51的基本结构和应用模式 2.2 MCS-51的基本结构和应用模式 2.2.3 MCS-51的应用模式 非总线型51单片机 （2）扩展外部总线应用模式 （3） MCS-51单片机的工作方式 MCS-51单片机的工作方式有 复位 中断执行方式 程序执行方式 掉电和低功耗方式 2.2.4 MCS-51最小系统设计 2.2.4 MCS-51最小系统设计 1）时钟电路 Pierce振荡器 皮尔斯振荡器有低功耗、低成本及良好的稳定性等特点，因此常见于通常的应用中。 Inv：内部反向器，作用等同于放大器。 Q：石英或陶瓷晶振。 RF： 内部反馈电阻(译注：它的存在使反相器工作在线性区, 从而使其获得增益，作用等同于放大器)。 RExt：外部限流电阻。 CL1和CL2：两个外部负载电容。 Cs：由于PCB布线及连接等寄生效应引起的等效杂散电容(OSC_IN和OSC_OUT管脚上)。 石英晶振等效电路 石英晶振的振荡特性 时钟电路设计所涉及的问题 1、使用内部时钟振荡电路还是外部时钟？ 2、内部时钟电路能否稳定振荡的条件？ 3、时钟电路的准确性及其调校？ 4、什么情况下需要外部电阻REXT，REXT 如何计算？ 5、振荡电路的启动时间？ 挑选合适的晶振及外部器件的简易指南 挑选合适的晶振可分为3个主要步骤： 第一步：增益裕量(Gainmargin)计算 选择一个晶振 计算晶振的增益裕量(Gainmargin)并检查其是否大于5： 如果Gainmargin 5，说明这不是一个合适的晶振，应当再挑选一个低ESR值和/或低CL值的晶振，重新第一步。 如果Gainmargin 5，进行第二步。 其中： gm是反向器的跨导，其单位是mA/V(对于高频的情况)或者是μA/V(对于低频的情况，例如 32kHz)。 gmcrit (gm critical)的值 取决于晶振本身的参数。 例: 设对于51振荡器，其gm等于25mA/V，采用Fox晶振frequency = 8 MHz, C0 = 7 pF, CL = 10 pF, ESR = 80 gmcrit=4*80*（2*pi*8*106）2*（7*10–12+10*10–12）2=0.23 mA/V Gainmargin=gm/gmcrit=25/0.23= 107 第二步：外部负载电容的计算 计算CL1和CL2的值，并检查标定为该计算值的电容是否能在市场上获得。 ● 如果能找到容值为计算值的电容，则晶振可以在期望的频率正常起振。然后转到第三步。 ● 如果找不到容值为计算值的电容： 该应用对频率要求很高，你可使用一个可变电容并将其调整到计算值，然后转到第三步。 如果对频率的要求不是特别苛刻，选择市场上能获得的电容中容值距计算值最近的电容，然后转到第三步。 第三步：驱