非晶有机和微结构半导体说课.ppt

* 非晶太阳能电池的结构 单个电池的结构 在单个电池之间建立串联连接结构 * 非晶太阳能电池的发展 自1974年人们得到可掺杂的非晶硅薄膜后，就意识到它在太阳能电池上的应用前景，开始了对非晶硅太阳能电池的研究工作。 1976年：RCA公司的Carlson报道了他所制备的非晶硅太阳能电池，当时的转换效率不到1%。 1977年：Carlson将非晶硅太阳能电池的转换效率提高到5.5%。 1978年：集成型非晶硅太阳能电池在日本问世。 * 1980年：ECD公司作成了转换效率达6.3%的非晶硅太阳能电池 1981年：开始了非晶硅及其合金组成的叠层太阳能电池的研究。 1982年：市场上开始出现装有非晶硅太阳能电池的手表，充电器、收音机等商品。 1984年：开始有作为独立电源用的非晶硅太阳能电池组合板。 * 7.2 有机半导体材料 7.2.1 分类和基本性质 7.2.2 能带组成 * 1 有机半导体材料分类和基本性质 单分子固体：束缚激子 给体受体型电荷转移固体：含有两类不同小分子。分子对之间允许发生电荷转移 共轭聚合物：极子 A 0 B 拓扑学孤子 * 2. 能带组成 有机半导体带隙： 分子最高占据态轨道（HOMO）和最低空轨道（LUMO）之间的能量差 无机半导体带隙： 价带（VB）和导带（CB）之间的能量差 * 应用特点 有机半导体的应用特点 1）环境不敏感，操作环境宽松 2）加工简单 3）易制备大面积材料，薄膜有柔性、可弯曲 4）易于调节材料的电学、光学性能 5）易于制备有机/有机,有机/无机异质结材料 * 有机发光二极管（OLED） 太阳电池 有机半导体材料的应用 * 7.3 微结构半导体材料 * * * * * 超晶格（耦合的多量子阱）：如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。 多量子阱：由2种不同半导体材料薄层交替生长，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，称为多量子阱。 量子阱与超晶格的区别 超晶格 量子阱 * 超晶格的分类 * * * * * 组分超晶格 组分超晶格：有两种不同的半导体所组成的超晶格材料 第一类 I型 第二类 错开型 II型 第二类 不对称型 第三类 EC EV EC EV EC EV EC EV * 带隙差 电子和空穴都限制在GaAs中，跃迁几率大。 第一类 EC EV AlGaAs GaAs * 第二类 错开型 EC EV 第二类 不对称型 EC EV 带隙差 电子和空穴分别限制在两种材料中。 人工设计适合某种特定应用的小带隙半导体和半金属材料。 A A B B * 有效带隙可通过改变超晶格周期加以调整，使其在0-1.6 eV之间变化。 由于调节厚度比调节组分容易，所以HgTe/CdTe超晶格很适合作为重要的三元固溶体Hg1-xCdxTe的替代材料而用于制备3-5μm、 8-12μm这些重要大气窗口的探测器件。 第三类 EC EV HgTe CdTe * 超晶格的制备 制备超晶格的主要超薄层半导体材料生长技术有分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相淀积(MOCVD)和综合了MBE和MOCVD优点的化学束外延(CBE)，为了获得原子级平整的异质结界面和原子层厚度的外延层，发展了原子层外延和迁移增强外延等方法。 生长了Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族和非晶态等多种半导体材料体系的超晶格和量子阱等微结构半导体材料。 * 1.组分超晶格：由不同半导体材料的薄膜堆垛而成的 叫做组分超晶格 2.掺杂超晶格：在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料 3.应变超晶格：应变超晶格不仅大大扩展了可用作超晶格的材料范围，并且其能带结构和物理性能随应力(可通过改变厚度和组分调节)变化。 * 物理与电子学院 * 物理与电子学院 第七章 非晶、有机和微结构半导体材料 * 7.1 非晶半导体材料 7.2 有机半导体材料 7.3 微结构半导体材料 * 7.1 非晶半导体材料 7.1.1 非晶的概念(amorphous) 7.1.2 非晶半导体的基本性质 7.1.3 非晶硅的应用 * 材料的状态 材料的主要状态 晶体crystal 准晶体Quasi-crystal 非晶体amorphous 液体 气体 固体 低温制备 高温制备 * 7.1 非晶的概念 与晶态半导体材料相比，非晶态半导体材料的原子在空间排列上失去了长程有序性，但其组成原子也不是完全杂乱无章地分布的。 由于受到化学键，特别是共价键的束缚，在几个原子的微小范围内，可以看到与晶体非常相似的结构特征。 所以，一般将非晶态