电荷耦合器件说课.ppt

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3.2 电荷耦合器件的工作原理 上一页 下一页 返 回 输出电流Id与注入到二极管中的电荷量QS的关系 Qs=Iddt (8-10) 3.3 电荷耦合器件的性能参数 上一页 下一页 返 回 3.3.1 电荷转移效率和转移损失率 电荷转移效率是表征CCD器件性能好坏的一个重要参数。设原有的信号电荷为 ,转移到下一个电极下的信号电荷 ,其比值 称为转移效率 没有被转移的电荷Q′与原信号电荷之比 称为转移损失率 电荷转移效率与损失率的关系为 4.3.2 CCD图像传感器 利用CCD的光电转移和电荷转移的双重功能,得到幅度与各光生电荷包成正比的电脉冲序列,从而将照射在CCD上的光学图像转移成了电信号“图像”。 由于CCD能实现低噪声的电荷转移,并且所有光生电荷都通过一个输出电路检测,且具有良好的—致性,因此,对图像的传感具有优越的性能。 线列和面阵 上一页 下一页 返 回 影响转移效率的因素很多,其中最主要因素还是表面态对信号电荷的俘获。 为此,采用“胖零”工作模式,所谓“胖零”工作模式就是让“零”信号也有一定的电荷来填补陷阱,这就能提高转移效率和速率。 一个CCD器件如果总转移效率太低,就失去实用价值。 当信号电荷转移n个电极后的电荷为 时,总转移效率为 第三章 电荷耦合器件 Charge-coupled device 电荷耦合器件(CCD)属于一种集成电路,只不过它具有多种独特功能。通过CCD可以实现光电转换、信号储存、转移(传输)、输出、处理以及电子快门等一系列。 CCD是使用最广泛的固体摄像器件,按照结构可分为两大类:线阵和面阵器件,它们的工作原理基本相同,但结构各有特点。在测量领域,线阵CCD用的最多。本次重点介绍线阵CCD。 上一页 下一页 返 回 第三章 电荷耦合器件 Charge-coupled device 在MOS电容金属电极上,加以脉冲电压,排斥掉半导体衬底内的多数载流子,形成“势阱”的运动,进而达到信号电荷(少数载流子)的转移。 电荷耦合元件(Charge-coupled Device)简称CCD,作为一种集成电路,CCD上有许多排列整齐的电容,能感应光线,并将影像转变成数字信号。 上一页 下一页 返 回 名词“势阱”解释 概念 粒子在某力场中运动,势能函数曲线在空间的某一有限范围内势能最小,形如陷阱,称为势阱。 就是电子的势能图像类似一个波的形状,那么当电子处于波谷,就好像处在一口井里,比较稳定,很难跑出来。所以称为势井或势阱。不单单是量子力学里有这个势井,任何形式的势只要具有这种样子,我们都可以称它有势井/势阱,比如重力势井。量子力学与经典物理的在这里有一个小小的差别,就是量子力学里,电子具有某些概率穿过势井跑出来,称之为隧道效应。隧道电子显微镜就是利用这个原理。 名词“势阱”解释 一维空间内运动的粒子,它的势能在一定区域内(-axa)为零,而在此区域外势能为无限大,即: U(x)=0, |x|a, U(x)=∞, |x|a. 第三章 电荷耦合器件 3.1 CCD的物理基础 3.2 电荷耦合器件的工作原理 3.3 CCD的性能参数 3.4 图像传感器的应用 上一页 下一页 返 回 3.1 电荷耦合器件的物理基础 电荷耦合器件是一种基于MOS晶体管的器件,由一系列MOS晶体管并列而成,对其工作原理的理解可以先从MOS结构的晶体管物理特性入手。CCD的MOS结构不是工作在半导体表面的反型层状态,而是利用在电极下氧化物-半导体界面形成的深耗尽层工作的。CCD是基于非稳态MOS电容器的器件。 上一页 下一页 返 回 3.1 电荷耦合器件的物理基础 上一页 下一页 返 回 在P型或N型硅单晶的衬底上生长一层厚度约为0.1-0.2微米的SiO2层,然后按一定次序沉积N个金属电极作为栅极,栅极间的间隙约2.5μm,电极的中心距离15~20μm ,于是每个电极与其下方的SiO2和半导体间构成了一个金属-氧化物-半导体结构,即MOS结构。 信号电荷转移 CCD的基本功能是存储与转移信息电荷 为实现信号电荷的转换: 1、必须使MOS电容阵列的排列足够紧密,以致相邻MOS电容的势阱相互沟通,即相互耦合。 2、控制相邻MOC电容栅极电压高低来调节势阱深浅,使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处 3、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 上一页 下一页 返 回 3.2 电荷耦合器件的工作原理 上一页 下一页 返 回 3.2

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