2晶格结构分析.ppt

晶向计算 * 晶向计算 * 晶向计算 * 金刚石结构 * 硅和锗都属于金刚石结构 晶胞中包含一种元素 闪锌矿结构 * GaAs属于闪锌矿结构 晶胞中包含两种元素 原子价键 * 为什么特定的原子倾向于特定的晶格结构？ 热平衡系统的总能量趋于达到某个最小值； 原子形成固体时的相互作用以及达到的最低能量依赖于原子类型； 通过原子的价电子定性的理解原子之间是如何相互作用的； 离子键： * I族的元素倾向于失去电子，带正电荷； VII族的元素倾向于得到电子，带负电荷； 电荷相反的离子通过库伦作用形成离子键； (NaCl) 晶体中，负离子被正离子包围，正离子被负离子包围； 静电引力较强，很难产生自由运动的电子； 共价键 * 每个氢原子有一个电子， 两原子共用两个电子， 价电子层都是满的； 电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键 共价键 * IV族元素硅和锗，每个原子有4个价电子， 需要4个价电子填满价电子层； 原子价键 * 金属键： I族元素钠，有一个价电子； 两个钠原子离得很近，价电子会像共价键那样互相影响； 第三个钠原子靠近时，价电子也会相互作用成键； 固体钠中，每个钠原子有很多共享电子； 原子价键 * 范德华键： HF分子是通过离子键构成的； HF分子中正电荷有效中心不同于负电荷有效中心； 电荷分布的不对称型会形成电偶极子； 电偶极子之间会相互作用，最后达到平衡； 最弱的化学键； 分子间相互作用若； 形成的固体的熔点相对较低； 室温下呈气态； 晶体中缺陷-点缺陷 * 缺陷尺寸在原子量级; 晶体中缺陷-点缺陷 * 缺陷尺寸在原子量级； 晶体中缺陷-线缺陷(位错) * 刃型位错: 在晶格里额外插入一个原子平面: 晶体中缺陷-面缺陷 * 晶粒间界：彼此没有固定晶向关系的晶体之间的过渡区 * 本征堆垛层错. 堆垛层错：在这种缺陷中, 原子层的堆叠次序被打断; 晶体中缺陷-面缺陷 * 非本征堆垛层错; 堆垛层错：在这种缺陷中, 原子层的堆叠次序被打断; 晶体中缺陷-面缺陷 Czochralski(柴可拉斯基)法-直拉法 * ? ? 晶格匹配外延 * 晶格失配外延 * 晶格失配外延 * * * * * * 固体晶格结构 《半导体物理及固体物理基础》 * * 固体材料分类 绝缘体 半导体 导体 108 10-4 ~ 108 10-4 * 绝缘体 导体 导体 * 两种导电率最低的物质是银和铜，导电性最好； 考虑到价格因素，半导体产业中用的最多的金属为铝。 . 绝缘体 * 绝缘体：像玻璃、塑料、橡胶等; 在半岛体产业中用的比较多的为二氧化硅，氮化硅，氧化铝等； 二氧化硅用的最广，因为它非常稳定； 与硅有非常好的接触界面； 半导体 * 元素半导体：Si，Ge (IV族) III-V族半导体：GaN GaAs, InP等 化合物半导体 II-VI族半导体：ZnS，ZnO等 IV-IV族半导体：SiC 有机半导体：有机物、聚合物和络合物等 固体的形态类型 * 无定型(非晶) 多晶 单晶 无定型材料：只在几个原子或分子的尺度内有序； 多晶材料：在许多个原子或分子的尺度内有序； 单晶材料：在整个材料范围内都有很高的几何周期性； 晶粒 晶界 单晶硅 * 多晶硅 * 非晶硅 * 晶体结构理论 晶体结构=基元+点阵； 基元：构成晶体的原子、分子、离子、原子团、分子团等； 点阵：用一个几何点表示基元后，晶体所构成的几何点的阵列； 点阵是无限大,沿三维周期性排列的点子； 晶格：用直线以某种方式把点子连接起来所形成的格子，晶格中每一个点称为格点； * 点阵与晶格 二维无限格点阵列 * 晶胞 * 晶胞：可以复制整个晶体的一小部分晶体，并非只有一种结构； 原胞：可以通过重复形成整个晶体的最小晶胞； 晶胞：考虑对称性，更全面地了解晶体性质； 晶胞与晶格 * A B 晶格中任意一个格点都可以用矢量表示： 晶系 描写晶胞的六个物理量：三个基矢的长度[晶轴上的周期](a, b, c)和基矢之间的夹角(α,β,γ),如图所示: 根据a, b, c, α, β, γ的不同，晶格可分为七大晶系。