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（9）氧化物材料体系 MOCVD氧化物薄膜材料方面的应用表明了MOCVD具有较强的适应性。 制备的具有代表性的材料有：超导材料，如YBCO; 压电材料，如BaTiO3、SrTiO3、ZnO; 氧化物半导体材料：如ZnO、ITO、MgO; 绝缘材料，如SiO2、ZrO、Al2O3等。 MOCVD 技术基础2 MOCVD（Metalorganic Chemical Vapor Deposition） MOCVD是一个将特定的源材料通过一系列严格控制,传输到加热生长区，在此生长区，源材料热分解后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。 主要内容 1.基本原理 2.生长的材料体系 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）热力学分析 使用的原材料 ARn + BHn → AB + nRH A、B是组成外延材料的元素， R是有机基团。 常用的A组分有Ga, In, Al, Mg, Zn,一般为： TMGa, TEGa, TMIn, TEIn, TMAl, TEAl, Cp2Mg (C2H5)2Mg, DMZn, DEZn. 常用的B组分通常采用其氢化物，例如AsH3, PH3, NH3, SiH4, SeH2等。 一些常用源的分子结构示意图 DMZn TMGa AsH3 DMTe TBP TDMAAs 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）热力学分析 组分控制 精确控制材料组份的关键--MO源的蒸汽压和输入量 MO源瓶中的压力是两种分压的总和，即PH2和PMO P= PMO+PH2 TMIn 的问题 液态的金属有机源 （TMGa, TEGa, DMZn, TMAl） TMIn 常温下是固体（熔点88.4度） 降低源瓶的压力，设定TMIn的压力为200mbar。 使用Epison系统保证其稳定。 原理：混合气体中的声速和气体的浓度有线性的关系 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）热力学分析 热力学分析 1. 低温下生长速率由MO源分子的热分解速率控制 ，生长速度强烈依赖温度 ，温度的微小变化可较大程度地影响晶体生长的均匀性和重复性 。 热力学分析 2.在较高温度范围内，由于所有的MO源分子在晶体表面全部分解或分解速率不受温度的影响，此时，晶体生长速度主要受质量传输控制 ，温度对其影响较小。虽然晶体生长速率不随温度变化，但材料的性质、掺杂特性等参数受温度影响较大 。 热力学分析 3.在更高的温度范围内，晶体的生长速度随温度的升高而降低，这是由于在此温度下，热力学控制起主导作用。例如，生长基元的挥发、均相反应等。 生长温度的其他要求 高温能增加表面迁移率，低温降低表面迁移率。 低温能降低Si Ge的掺杂，高温能降低O S的掺杂。 要求生长温度小于或等于晶体的熔点的一半。 带隙大的晶体熔点高，生长温度高；带隙小的晶体熔点低，生长温度低。 V/III 850℃时 PH3只有50%能够分解 600℃时 AsH3只有50%能够分解 低的V/III下，III族原子容易形成小的金属液滴，不利于材料均匀生长。 砷化物的V/III一般为几十，磷化物的V/III一般为几百。 V/III的计算 常压MOCVD（AP-MOCVD） 设备条件要求低。扩散边界层和温度边界层较厚增加了前反应和均相反应的几率，降低了材料质量和均匀性 。 低压MOCVD（LP-MOCVD） 要求设备密封性要高。 1.由于气体流速快，使表面的扩散边界层和温度边界层厚度减小，降低了前反应和均相反应几率。 2.反应副产品短时间内会离开生长区，提高了材料质量。 3.压力太低的情况下，生长室中分子浓度过低，分子间相互作用减小，使生长速度下降，降低了材料利用率。 4. 同时由于表面吸收基元与H自由基相互作用变小，形成的气体副产品无法与氢自由基结合形成稳定的气态分子离开表面，使材料的碳掺杂过高，影响材料质量。 另外，影响材料生长速度、均匀性和光电性能的参数还有：反应室的形状、加热方式、衬底转速、载气流量等因素源材料的种类和质量。 生长过程 2. 生长的材料体系 （1）AlxGa1-xAs/GaAs体系 AlxGa1-xAs/GaAs体系是研究最多、最成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物体系。 其主要原因是AlGaAs在全组份范围内晶格与GaAs匹配，具有很大的ΔEg，可以制成各种异质结、量子阱和超晶格结构。 （2）GaxIn1-xAs/GaAs体系 GaInAs/GaAs应变量子阱材料，用于大于900nm激光器和发光管器件。另外，应用GaInAs/GaAs多量子材料与AlGaAs/GaAs、GaInP/GaAs材料配合制成多结太阳能电池，可极大地提高红外光谱的吸收，提高太阳能电池的转换效率。