改进化学沉积法(MCVD)合成大模场光纤教程方案.pptVIP

* Fabrication of large mode area fiber by MCVD 姓名 学号 黎宇 S曹亚斌 S张宗辉 S韩帅 S俞小哲 S焦孟珺 S陈思 S杨以娜 S李善明 S组员介绍 1. 大模场光纤分类 2. 大模场光纤主要制备方法 3. MCVD工艺简介 4. MCVD工艺反应机理 5. 气相掺杂MCVD 工艺 6. MCVD法制备大模场光纤 1. 大模场光纤分类 2. 大模场光纤主要制备方法 改进化学沉积法 （MCVD） 等离子体化学气相沉积法 （PCVD） 外部气相沉积 （OVD） 轴向气相沉积 （VAD） 四种工艺的比较 3. MCVD工艺简介 Ⅰ. Recipe Development Main variables for each process steps are following: Gas flows : bubbler carrier gas,O2,He,Cl2 etc. Preform temperature Carriage speed Sootbox pressure Ramping of relevant parameters Typical MCVD production tube is constructed from 3 quartz tubes,which are welded together prior to MCVD process Inlet tube:low quality quartz Substrate tube:high quality synthetic silica forms final preform Exhaust tube:low quality quartz Sleeving tube:synthetic silica Ⅱ. Tube preparation Ⅲ. Fire Polishing/Etching   Purpose: to clean tube outer and inner surface to improve preform quality Temperature:1850-2200℃ Reactant flows:O2+fluorine source for etching Ⅳ. Cladding and Core Deposition Cladding deposition Purpose:deposition of protection barrier for core Temperature:1900-2100℃ Typical reactant flows：SiCl4 ,O2,He Core deposition Purpose:deposition of refractive index difference Temperature:1900-2200℃ Typical reactant flows： SiCl4,O2,He 4. MCVD工艺反应机理 SiCl4+O2=SiO2+2Cl2 GeCl4+O2=GeO2+2Cl2 4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2 热泳效应 热泳现象指温度梯度不为零的气体或悬浮体中，粒子向较冷去域运动的现象 化学试剂首先是要通过量可控制的载体气体，通过这些载体气体如O2控制化学试剂的量。高纯度气体混合物通入到装在车床上的旋转石英管中，气流穿过此石英管时经过氢氧火炬区被加热。当石英管内的气体温度达到1300℃时发生均匀化学反应，反应生成颗粒状玻璃随后在热区下游沉积，移动火炬的热使物质融合并形成一个透明的玻璃状薄膜。 MCVD工艺原理图 实验室MCVD设备 5. 气相掺杂MCVD 工艺 通过这一气体输送单元，以He气为载气，将加热为气体的稀土螯合物及AlCl3 等物质输送至反应沉积区，与另一管道中输送过来的SiCl4 等玻璃形成物质气体同时发生沉积反应，沉积到沉积管内壁上，从而实现掺杂 系统示意图 带有气相输送单元的 MCVD 该工艺中，为得到均匀的掺杂效果，对沉积管头部带状燃烧器温度的调控至为关键 若温度过高，稀土化合物会在到达反应沉积区之前发生分解，进而以不可控的行为在反应沉积区沉积，还有可能在输送管内发生碳沉积 若温度过低，稀土化合物会在尚未到达带状燃烧器前在输送管内发生冷凝、重结晶等，影响反应区的沉积效率 6. MCVD法制备大模场光纤