第7光检测器资料.pptVIP

光检测器 光检测器是光接收机的核心。 光检测器的功能：把光信号转换为电信号。 * 光检测器 外部光电效应 真空光电二极管和光电倍增管。 内部光电效应 光检测器是半导体器件： PN 光电二极管 PIN光电二极管 雪崩光电二极管（APD） * 光检测器 光检测器的重要特性 响应度 谱响应 上升时间 响应度是检测器的输出电流与入射光功率的比值 谱响应指检测器响应度与波长之间的相应关系 上升时间是在入射光呈阶跃变化的条件下,检测器的输出电流从最大值的10%上升到90%所用的时间 * * 图7.1 光检测器的上升时间 输入功率波形 检测器输出的电流波形 * 图7.2 真空光电二极管 真空光电二极管 入射光子 发射电子 阴极 阳极 真空光电二极电管: 由封装于真空管内的光电阴极和阳极构成。当入射光线穿过光窗照到光阴极上时，由于外光电效应，光电子就从极层内发射至真空。在电场的作用下，光电子在极间作加速运动，最后被高电位的阳极接收，在阳极电路内就可测出光电流，其大小取决于光照强度和光阴极的灵敏度等因素。 光电倍增管 光电倍增管由真空管壳内的光电阴极、阳极以及位于其间的若干个倍增极构成。工作时在各电极之间加上规定的电压。当光或辐射照射阴极时，阴极发射光电子，光电子在电场的作用下逐级轰击次级发射倍增极，在末级倍增极形成数量为光电子的102～106倍的次级电子。众多的次级电子最后为阳极收集，在阳极电路中产生可观的输出电流。 * * 图7.3 光电倍增管 入射光子 倍增电极 阴极 阳极 二次发射电子 半导体光电二极管 当入射光作用在PN结时，光子能量大于或等于带隙能量时，价带的电子通过受激吸收跃迁至导带，形成电子-空穴对。当电路闭合时，这些自由载流子的定向流动形成（光）电流。施加反向偏压可以增强光电流。 PN 光电二极管 PIN光电二极管 雪崩光电二极管（APD） * PN 结光电二极管 工作原理：当有光照射PN结的一边，P侧通过吸收光产生电子－空穴对，并在内建电场作用下，分别漂移到N侧和P侧，产生比例与照射光功率的电流流动。 在势垒区外也被吸收，只有势垒区内被吸收的光才能产生光生电流。 * * 图7.4 pn结光电二极管的结构。(a)反向偏置二极管 (b) pn结 (c)能级图 电子 能量 自由空穴 的产生 价带 结区 导带 自由电子的产生 一个入射光子经过p层以后在结区被吸收。吸收的能量激发一个束缚电子从价带越过带隙到达导带。电子成为自由载流子，能够自由运动。同时，一个空穴留在价带上由电子空出的位置。自由电荷载流子就是以这样的方式通过吸收光子产生的。自由电荷的定向运动在外电路产生了电流。 限制因素：光生电流中的扩散分量，光信号在势垒区外吸收所致。p区光生电子和n区光生空穴的扩散相当慢，因此扩散电流分量引起时间响应畸变。 克服方法：通过减小p区和n区厚度减小扩散时间和吸收电能来增大势垒区宽度。 有两种改进方案已在光波系统中得到广泛应用: PIN光电二极管 雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photodiode） * * 图7.5 PIN光电二极管的结构 本征层 结构：在PN结中间夹一层掺杂浓度很低的本征半导体（I层）。 工作原理：由于I层很厚具有较高电阻，电压基本上落在该区，使势垒区宽度增加，减小扩散运动影响，提高了响应速度。 在中间InGaAs层，在1.3μm～1.65μm范围内有很强的吸收。 由于光子仅在耗尽区内吸收，完全消除了扩散分量。采用几微米厚的InGaAs，量子效率可接近100%。 长波长波段：InGaAs 短波长波段：Si * * 图7.7 硅光电二极管的电流-电压特性曲线 光电二极管电压 光电二极管电流 光电导区域 光伏特区域 * 图7.8 (a) 简单的PIN电路 (b) 电路特性的图形表示 响应速度 PIN光电二极管的响应速度受到渡越时间， 即自由电荷穿越耗尽层时间的限制。 较高的反向电压可以减小渡越时间。 器件的电容也会限制响应速度。 * * 图7.10 PIN光电二极管的等效电路 * 图7.11 电流-电压转换器 电流-电压转换器 * 图7.12 在电流-电压转换器中，二极管感受的垂直负载线