4晶体二极管技术方案.ppt

第三节 晶体二极管 定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。所以，二极管实际上就是一个PN结。 种类：点接触型二极管、面接触型二极管、硅平面型二极管。 特点： 点接触型二极管的结面积小、电容小，适用于高频、小电流的整流、检波、混频电路等。 面接触型二极管的结面积大、结电容大，一般工作于低频电路下。 硅平面型二极管的结面积大，通过的电流也大。 一、二极管的特性 1、伏安特性（VAR）： 与PN结的VAR差不多，二极管的VAR也服从PN结方程 ： I = IS (eU/UT -1) 根据实测如下页图示： 显然，在图中仍可用PN结方程来描述二极管的伏安特性。 其中： Si: U(on)= 0.5～ 0.7V Ge：U(on)= 0.1～ 0.3V 2、其他特性： 由于一只二极管就是一个PN结，故二极管的特性与PN结的特性差不多，也同样具有： 单向导电性、温度特性、反向击穿特性 （这里不再赘述） 二、二极管的微变等效电路模型 工作点、静态工作点、增量ΔU、ΔI 如果加到二极管上的电压U由直流电压UQ和叠加其上的增量电压ΔU组成，而 U = UQ+ΔU，则将产生的电流为 I=IQ+ΔI 如图所示：Q为静态工作点，一般叠加在Q点的ΔI和ΔU之间的关系是非线性的，但当ΔU足够小，即当ΔU→0时，k曲→ k直。 因此，此时二极管对叠加在Q点上的微小增量而言，等效为一电阻rD的电阻值即为该直线段斜率的倒数： 上述推导中Ij=IS (eU/VUT-1)为二极管在Q点时的电流，所以rj通常称为二极管的增量结电阻或肖特基电阻，再称为动态电阻。 再考虑到PN结的串联电阻rs，晶体二极管的小信号电路模型如图： 这一模型在ΔU极小时成立，故是线性电路，同时还考虑到了ΔU的工作频率较高时的PN结等效电容Cj。 显然，晶体二极管的小信号模型受ΔU足够小的限制，工程上要求|ΔU∣ 5.2mV。 三、理想二极管模型 理想二极管模型由直流电源Udd、理想二极管D和等效电阻R组成串联电路。 符号：如下页图： 特性： 当 U 0时，二极管D短路 当 U 0时，二极管D开路 一般情况下，二极管在运用时都使用这一模型。 四、晶体二极管电路分析方法 晶体二极管模型不同，采用的分析方法也有所不同， 对一般的二极管电路我们可以有以下分析方法： ① 利用伏安特性方程和电路方程联立求解； ② 利用伏安特性曲线求解的图解分析法； ③ 简化分析法：利用二极管简化模型分析电 路； ④ 微变等效电路分析法：将电路中的二极管用微变等效电路模型代替后来分析电路，常用于交流信号电路中。 五、二极管的主要参数及选择原则 半导体器件的参数是对其特性的定量描述，是我们正确使用和合理选择元器件的依据。 1、半导体二极管的主要参数有： ① 最大整流电流IF ：二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。 IF由PN结面积和外界散热条件决定，使用时，工作电流不能超过IF且须满足散热条件，否则将烧坏二极管。 ② 最大反向工作电压UR：指二极管在使用时所允许加的最大反向电压，一般地，取: UR=1/2 · UBR ，否则二极管将反向击穿。 ③ 反向电流IR ：指二极管未被击穿时的反电流值，IR越小，二极管的单向导电性越好，IR与温度有关，高温工作时要特别注意。 ④ 最高工作频率fM：由PN结电容大小决定，信号频率若超过fM，二极管的单向导电性就不能很好体现。 2、二极管的选择 ① 要求导通电压低时选锗管，要求反向电流小时选硅管。 ② 要求导通电流大时选平面型，要求反向工作频率高时选点接触型。 ③ 要求反向击穿电压高时选硅管； ④ 要求耐高温时选硅管。 第四节 稳压管 稳压管是我们要学的第二种管子，它是一种特殊的二极管，工作在反向击穿状态下，可以稳定电压，在电子电路中应用广泛。 一、稳压二极管的稳压原理： 如上页图：当反向电压UZ达到一定数值以后，其反向电流IZ突然急剧增加，此时，反向电压只要有一个少量的增加，反向电流就会增加很多，即ΔIZΔVZ，此时管子被击穿，而且为电击穿，非热击穿。 管子在击穿后，通过其中的电流在很大范围内变化，而管子两端的电压变化范围却很小，这一现象使二极管在一定范围内能够起到稳定电压的作用。 注意：这个“一定范围”就是管子由“击穿”转化为“稳压”的决定条件，管外电路必须有限制电流的措施，使电击穿不致于引起热击穿而损坏二极管。 另外，利用反向击穿特性制成的二极管称为