华北电力大学-电力电子技术原理02解释.ppt

This is a test. IGBT功率模块外观（底面） 第二章 电力电子器件 GTO 电流控制器件（关断控制电流很大） 用于（极）大功率场合（可至数十兆瓦） 开关频率低（千赫兹以下） 极大功率应用的（几乎）唯一选择 第二章 电力电子器件 常用电力电子器件及其特性 第二章 电力电子器件 常用电力电子器件组合及其特性 第二章 电力电子器件 全可控四象限开关 第二章 电力电子器件 替代二极管的可控开关 第二章 电力电子器件 电力电子功率模块 电力电子器件的集成 电力电子器件与驱动、保护电路的集成 电力电子器件与控制电路的集成 第二章 电力电子器件 电力电子器件的应用场合 第二章 电力电子器件 未来发展趋势 高电压 大电流 低功耗 高开关速度 第二章 电力电子器件 未来发展的技术走向 基于硅材料的器件已接近极致 新的半导体材料： 砷化镓，碳化硅，…… 低导通压降，高击穿强度，耐高结温，…… 还远未成熟，有很长的路要走…… 第二章 电力电子器件 宽禁带电力电子器件 SiC、GaN、AlN、AlGaN等 性能令传统半导体材料Ge、Si、GaAs望尘莫及 卓越的高温性能 良好的导热性能 非凡的抗电压击穿能力 高的载流子饱和漂移速度 第二章 电力电子器件 电力电子电路的“抽象”电路模型 第二章 电力电子器件 单相整流器“抽象”电路模型 第二章 电力电子器件 三相整流器“抽象”电路模型 第二章 电力电子器件 电力电子技术原理与应用 第二章 电力电子器件 电力电子技术原理与应用 第二章 电力电子器件 电子开关的实现：可能性 电子开关的实现：问题 两个SPST开关并不完全等价于一个SPDT开关 电力电子器件并不能完全等价于SPST开关 电力电子器件的某些特性可能会显著地影响电路的工作 第二章 电力电子器件 . 两个SPST开关并不完全等价于一个SPDT开关 电力电子器件并不能完全等价于SPST开关 电力电子器件的某些特性可能会显著地影响电路的工作 电子开关的实现：问题 两开关可能会同时通或同时断 第二章 电力电子器件 两个SPST开关并不完全等价于一个SPDT开关 电力电子器件并不能完全等价于SPST开关 电力电子器件的某些特性可能会显著地影响电路的工作 电子开关的实现：问题 单向导通 单向阻断 不可控器件 半可控器件 第二章 电力电子器件 两个SPST开关并不完全等价于一个SPDT开关 电力电子器件并不能完全等价于SPST开关 电力电子器件的某些特性可能会显著地影响电路的工作 电子开关的实现：问题 二极管的单向导电特性使得DC/DC换流器出现间断电流工作模式 第二章 电力电子器件 理想的开关器件 关断时可承受正、反向电压（越高越好） 开通时可流过正、反向电流（越大越好） 开通态、关断态均无损耗 状态转换过程无损耗 状态转换过程快速完成（越快越好） 开关寿命长（允许的开关次数越多越好） 第二章 电力电子器件 功率半导体器件的状态 导通态（on） 关断态（off） 切换态（换流与换相） 第二章 电力电子器件 功率半导体器件（实际电力电子开关） 可承受单向或双向断态电压 可流过单向或双向通态电流 导通态和关断态的损耗可接受 切换过程的损耗可接受 切换速度可接受 正确应用时寿命很长 第二章 电力电子器件 功率半导体器件（实际电力电子开关） F: Forward R: Reverse B: Bidirection C: Conducting B: Blocking 第二章 电力电子器件 功率半导体器件分类 不控型－整流二极管 半控型－晶闸管 全控型－GTO、BJT、IGBT、MOSFET …… 第二章 电力电子器件 换流技术及电子开关器件年谱 第二章 电力电子器件 功率二极管 P-N结型半导体器件 单向导电器件 非线性器件 电力系统谐波问题 计算机仿真的困难 第二章 电力电子器件 功率二极管 vD iD K A - + vD iD VB 0 VF (I) 反向 阻断区 I vD iD 0 符号 实际伏安特性 理想伏安特性 第二章 电力电子器件 晶闸管 四层三端半导体器件 半可控电器件（控通不控断） 非线性器件 电力系统谐波问题 计算机仿真的困难 第二章 电力电子器件 vAK iG K A - + iA 反向 阻断区 反向击 穿电压 反向击穿 正向转折电压 导通态 关断态 脉冲电流作用 下导通过程 vAK iA 0 导通态 导通过程 正向阻断 反向阻断 vAK iA 0 G 晶闸管 符号 实际伏安特性 理想伏安特性 第二章 电力电子器件 晶闸管 第二章 电力电子器件 螺栓