光刻技术的进展教程方案.ppt

基于光刻技术的微细加工技术进展 光学光刻 193nm光刻技术 极紫外（EUV）光刻技术 1984年，日本电信株式会社（NTT开始尝试性开展研究软X射线缩小投光刻技术研究，并且在1986年里有镀有多层膜的施瓦兹席尔德（Schwarzschild）光学系统及12.5nm软X射线光源光刻出2μm线宽的图形，其缩小倍率为1：8。 1989年，IBM、AT＆T、Ultratech Stepper和Tropel表示出了对SXPL极大的兴趣，于是举行了一次SXPL学术论坛。同年NTT在同一系统上光刻出0.5μm线宽的图形； 1990年，美国贝尔实验室利用14nm的光源光刻出50nm线宽图形，其缩小倍率为1：20。 1992年，NTT公司研制成功带有扫描机构的、曝光现场为20mm×20mm的样机。 1993年此项技术正是更名为极紫外光刻技术（EUVL）。 1998年底，欧洲共同体的EUVL研究计划也正是开始启动，该研究项目由ASML公司牵头，Carl Zeiss公司和Oxford Instruments公司参与，其目的是评估EUVL在70nm光刻分辨率及70nm以下光刻分辨率的可行性。 2015，ASML在今年第四季度批量出货20nm、16nm、14nm工艺的相关制造设备。推出NXE:3300B光刻机，准备10nm节点上应用极紫外光刻。尼康也一直在开发自己的商用EUV光刻工具，并将EUV光刻机被命名为EUV1. 目标11nm节点的光刻机。同时，尼康联合佳能公司共同开发EUV技术。 EUVL主要由光源、缩微光学系统、掩模光刻胶和光刻机等部分组成。 X射线光刻技术 电子束光刻技术 20 世纪 60 年代，电子束光刻技术 ( EPL) 是在显微镜的基础上发展起来的 , 由德意志联邦共和国杜平根大学的 G . M ollenstedt 和R . Speidel 提出 。 1968年，日本电子公司成功研制出第一台扫描电子束光刻机。 20世纪80年代初，IBM公司提出了电子束缩小投影光刻的概念。 20实际90年代以来，美、日的一些研究部门采用电子束曝光技术，相继研制成功0.1μm的CMOS器件、0.04μm的MOST及0.05μm的HEMT器件。 纳米压印光刻技术 * 微光刻技术的发展 贝尔实验室发明第一只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展。 世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。 1947 1959 60年代 仙童提出CMOS IC制造工艺，第一台IC计算机IBM360， 并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线，美国 GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。 70年代 1978GCA开发出第一台分布重复投影曝光机，集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm节点。 80年代 美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机， 集成电路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm节点。 90年代 Canon1995年着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5 L步进机，ASML推出FPA2500，193nm波长步进扫描 曝光机。光学光刻分辨率到达70nm的“极限”。 2000以来 在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，NGL 正在研究，包括极紫外线光刻技术，电子束光刻技术， X射线光刻技术，纳米压印技术等。 20世纪70—80年代，光刻设备主要采用普通光源和汞灯作为曝光光源，其特征尺寸在微米级以上。90年代以来，为了适应IC集成度逐步提高的要求，相继出现了g谱线、h谱线、I谱线光源以及KrF、ArF等准分子激光光源。目前光学光刻技术的发展方向主要表现为缩短曝光光源波长、提高数值孔径和改进曝光方式。 、Ar 超微粒干版制备技术 铬版制备技术 氧化铁版制备技术 掩膜板制备工艺 2004 年 12 月 TSMC 和 IBM 分别宣布成功利用 193 nm 浸液式光刻技术生产出全功能的芯片。IBM 制造出了基于功率器件结构的 90 nm 微处理器的关键层，而 TSMC 则制造出了 90 nm SRAM芯片的关键层。均使用 ASML TwinScan AT:1150i 浸液扫描式光刻机 （ 数值孔径 0.75） 。 2005 年 TSMC 的制造工厂里安装 ASML 的第二代浸液式曝光设备 XT:1250 i （数值孔径 0.85），并介绍了使用这台设备进行 65 nm 工艺的研发情况。 2006 年 1 月份Nikon 推出了第一台量产 ArF 浸液式扫描光刻设备 NSR-S609B（数值孔径1.07）。用于55 nm 节点的内存产品的量产并用于研发下一代 45 nm 节点的关键技术。德州仪器 (TI)也发布了 45