N-型晶体硅太阳电池的数值模拟与冶金法N-型多晶硅太阳电池关键工艺的研究.pdf

摘要 摘要 太阳能作为一种新兴的可再生能源有着不可估量的发展前景。高效和低成本 是多晶硅太阳电池的发展趋势。目前硅太阳电池主要是P型电池，而N型硅电 池有一些P型硅电池所没有的优点，如抗光致衰减能力强、少子寿命较长等，因 此N型多晶硅电池发展空间巨大。本文主要研究N型晶硅电池的数值模拟、冶 金法N型多晶硅片绒面制备和磷硼吸杂等关键工艺，具体内容如下： 1、通过求解一维少数载流子的连续性方程及其边界条件，建立了N型单晶 硅太阳电池的物理模型；同时引进有效少子迁移率、有效少子扩散长度的概念， 当入射光和柱状多晶硅太阳电池生长方向平行时，可将多晶硅太阳电池近似的看 作单晶硅太阳电池，再考虑了晶界复合的影响，建立了N型多晶硅太阳电池的物 理模型；模拟和分析了各种材料参数对N型晶体硅电池特性参数的影响。这对N 型晶体硅太阳电池的优化设计和制备具有一定的指导意义。 2、采用化学腐蚀法制备冶金法N型多晶硅片绒面。最佳配液为：硅片在 HF：HN03：H20=1：5：4腐蚀1min，再浸入1％NaOH腐蚀1min，腐蚀温度为0。C，此 时硅表面平均反射率为19．4％(波长400一-,1100nm)，比原始硅片反射率下降了 10．5％，然后再沉积SiNx膜于硅表面，其平均反射率下降到7．85％。 3、利用磷、硼吸杂提高冶金法N型多晶硅硅片少子寿命和硅片电阻率，并 对N型多晶硅磷、硼吸杂的机理进行了分析和探讨。实验表明，1000。C磷吸杂4 小时，少子寿命从1．21 ps提高到11．98ps。经950℃磷吸杂4小时，电阻率从0．2 Q．cm上升到0．5Q．cm。硼吸杂最佳条件是950℃扩硼l小时，平均少子寿命从 Q．cm提升到0．6Q．cm。此工作申请了两件发 1．52斗s变为10．74ps，电阻率从0．2 明专利，已受理，并发表一篇论文。 关键词：数值模拟；N型多晶硅太阳电池；磷／硼吸杂 Abstract Abstract The the asa solar has limitless kindof arisenand energygot foreground newly renewable andlowcostarethe trendof energy．Highefficiency development multicrystallinesilicon(me·Si)solar the silicon，the cells．Compared谢tllP-type siliconhas for greatadvantages，forexample，better N-type resistingLID(Light induced carrierlifetimeetc．．Thenumericalsimulation degradation)，longerminority of siliconsolarcellsand and of me-Si N-锣pe texturinggettingtechnologyN—type wafersrefined methodwerestudied．Theseresultsare byphysicalmetallurgical descr