第四章 静电理论与电流电压特性 2.ppt

暫態響應（續） 減少切換時間的方法：大的逆向電流或是減少生命期。 在半導體中有能量位於能隙中央的復合中心（例如金），則可降低少數載子的生命期，製作快速切換開關。 4.7接面崩潰（Junction Breakdown） 當逆向偏壓大到某一程度，逆向電流會大增，稱為崩潰。 有二種機制：雪崩效應（avalanche multiplication）與穿透效應（tunneling effect，又稱為Zener effect）。 4.7.1穿透效應 要電場夠大（以矽與砷化鎵為例： 106V/cm）才能產生，故n區與p區之摻雜濃度都需非常高（ 5x1017cm-3）。 若崩潰電壓小於4Eg/q，為穿透效應；若大於6Eg/q，則為雪崩效應；介於兩者之間則為二效應的混合。 雪崩效應 夠大的逆向電壓產生大的電場，因而發生衝擊游離，大量電子電洞對產生，IR大增，故崩潰。 假設通過空乏區，因雪崩效應使得另一側之電流增為Mn倍 又電子電流是由電子或電洞撞擊所產生的電流故 離子化速率 總電流 雪崩效應（續） 考慮?n = ?p = ?之簡化情形，則前式之解為： 雪崩崩潰電壓定義為當Mn接近於無限大時的電壓，故： 代入 約等於In(w) = MnIn0 由已知之游離率與電場關係式，可求出滿足此一崩潰條件的臨界電場。 雪崩效應（續） 陡峭接面： 線性漸進接面： 同一半導體摻雜越多，崩潰電壓越小。 摻雜濃度相同，能隙較大（如GaAs)，臨界電場大，崩潰電壓也較大。 Figure 4-26. Critical field at breakdown versus background doping for Si and GaAs one-sided abrupt junctions.5 Punch Through( 貫穿) 若半導體厚度W小於逆向偏壓空乏層寬度(Wm)空乏層在崩潰前就已經碰觸到n-n+界面，稱為貫穿。 貫穿崩潰電壓VB’為： 常發生於摻雜濃度很低時，如p+-?-n+ 或p+-?-n+二極體。 摻雜濃度越小，崩潰電壓接近一常數 接面曲面效應（Junction curvature effect） 形成pn接面的過程會有一因擴散而多出的區域，此區域會有更高的電場密度，崩潰電壓會更低。 4.8 異質接面 Figure 4-32. (a) Energy band diagram of two isolated semiconductors. b) Energy band diagram of an ideal n-p heterojunction at thermal equilibrium. 4.5 順向偏壓下，跨過空乏區的電壓降低，飄移電流降低，但p到n的電洞擴散與n 到p的電子擴散增加，產生少數載子注入（電子注入p區，電洞注入n區）。 逆向偏壓下，跨過空乏區的電壓增加，大大減少擴散電流，只有一小小的逆向電流。 理想電流電壓特性之假設： 空乏區的邊界為陡峭的，且空乏區外之半導體為中性的。 空乏區邊界的載子濃度與接面兩端的電位差有關。 低階注入，即注入之載子濃度遠小於多數載子濃度，所以在中性區邊界的多數載子濃度改變可忽略。 空乏區無產生及復合電流且在空乏區中電子電洞電流為常數。 4.5.1 理想特性 中性區之少數載子分佈 需解此區之連續方程式。 先找出邊界條件：由假設二，從接面兩端電位差著手。 平衡狀態下 （代入 ） 整理可得 同理 整理可得 可知平衡時在空乏區邊界之載子濃度與接面電位差Vbi有關。 中性區之少數載子分佈（續） 根據假設二，在非平衡狀態下，這種空乏區邊界之載子濃度與接面電位差的關係仍舊成立： 順向偏壓時V為正 逆向偏壓時V為負 又已知 可得x = -xp處之電子濃度的邊界條件 或 討論： V為正時，少數載子濃度大於平衡時的濃度。 V為負時，少數載子濃度小於平衡時的濃度。 中性區之少數載子分佈（續） 同理可得，在x = xn處，電洞濃度的邊界條件為： 或 過多的少數載子產生可說是 Vbi降低，使得另一區的多數載子注入，故使少數載子濃度增加。 中性區之少數載子分佈（續） 解中性區之連續方程式（假設電場為零、G為零），考慮穩態時，可得： 同理，在中性p區的少數載子（電子）分佈為： 解此方程式的邊界條件問題，可得解： 中性n區少數載子（電洞）的分佈 中性區之少數載子分佈（續） 中性區邊界因濃度梯度所產生擴散電流為： 其中 ， 稱為電洞（或電子）的擴散長度 理想電流電壓特性 空乏區中之總電流為： 整個pn二極體中的總電流等於空乏區之總電流（因假設整個二極體之總電流為常數）。 其中 也可寫為： 稱為飽和電流密度，因為當逆向偏壓 3kT/q時，J ≈