第四章 静电理论与电流电压特性 1.pptVIP

4.4.2 雜質分佈估算 其中W用(33)式代入，可得： 即1/Cj2-V關係圖的斜率 4.4.3變容器二極體（Varactor）： 一個可以經電壓改變電容值的電容器 pn接面的接面電容與逆向偏壓有關，可整理如下： 其中：線性漸進接面(N?x1)之n =1/3 陡峭接面之(N ? x0)n =1/2 陡峭接面之接面電容受VR的影響，要比線性漸進接面來的大，故若是超陡接面（hyperabrupt junction），Cj受VR的影響會更大，可作為變容器二極體。 超陡接面 考慮單邊接面p+n，ND(x) = B(x/x0)m： 可得 m越負，Cj受VR的影響越大。適當選擇m，可得所需的變容特性。例如m=-3/2時，Cj和VR2成反比。 若選擇m = -3/2，將此電容器與電感連接形成震盪電路，則可得與VR成正比的共振頻率： 4.5 電流電壓特性 順向偏壓下 逆向偏壓下 CHAP4 PN接面……… 靜電理論與電流電壓特性 PN接面（Junction） 將p型半導體與n型半導體相接處會形成pn接面。 在許多電子元件：雙載子電晶體、閘流體、金氧半電晶體、微波元件、光電元件等都有pn接面的存在 4.1 基本製程步驟 包含氧化、微影、離子佈植和金屬鍍膜。 Figure 4.1. (a) A bare n-type Si wafer. (b) An oxidized Si wafer by dry or wet oxidation. (c) Application of resist. (d) Resist exposure through the mask. Figure 4.2 (a) The wafer after the development. (b) The wafer after SiO2 removal. (c) The final result after a complete lithography process. (d) A p-n junction is formed in the diffusion or implantation process. (e) The wafer after metalization. (f) A p-n junction after the compete process. 4.2 熱平衡狀態 整流特性：順向偏壓導通，逆向偏壓不通。 逆向崩潰 （通常小於 1V） （由數V到數千V） 4.2.1 PN接面的能帶圖 將兩個拉到同一條線 （EF為定值） 可得： n型區的電子擴散至p型區需通過一個位勢障；同理， p型區的電洞擴散至n型區也需通過一個位勢障 空乏區（Depletion）的形成 空間電荷區（又稱為空乏區） 會達平衡 會達平衡 熱平衡狀態………淨電子及電洞電流為零 即 EF為定值 同理，分析電子電流 也可得相同結果 內建位勢障（Built-in potential） 從能帶圖看來，定費米能階會造成接面的電荷區的形成，即所謂的空間電荷區。 電洞變少，故此區為帶負電 電子變少，故此區為帶正電 內建位勢障 趨近 Poisson’s equation 用來表示空間電荷與靜電位的關係（假設施體與受體離子均游離： 在中性區，空間電荷為零， ， 即?為常數。 內建位勢障（Built-in potential）（續） 在P型區定義： 在N型區定義： 所以np兩區所形成的電位差為 4.3.2 空間電荷 一般矽和砷化鎵的過渡區遠小於空乏區，故可忽略。 趨近 4.3 空間電荷區 常見pn接面的摻雜濃度分佈及其近似。 (a)圖稱為陡峭接面(abrupt junction) (b)圖稱為線性漸進接面(linearily graded junction)。 4.3.1陡峭接面(abrupt junction)之空間電荷區的電場分析 空間電荷區的Poisson方程式： 又要遵守電荷守恆： 摻雜濃度越高的區域，空間電荷區的寬度就越小。 若n型區與型區的摻雜濃度差很多時，空間電荷區幾乎落在低濃度摻雜的那一區 陡峭接面(abrupt junction)之空間電荷區的電場分析(續） 由高斯定律 可求出電場： 在 x = 0 處為電場的極值 也可得到電荷守恆之等式 內建電位的估算 電場位置關係圖的斜率等於電荷，所以?為常數，電場關係圖為斜直線 電位與位置關係圖的斜率等於電場的負值，故圖形斜率均為正，且先增後減，所以為先上凹再下凹。 空間電荷區的寬度 因 代入前式可得 又空間電荷區寬度為 單邊接面（one-sided abrupt junction ） 一邊的摻雜濃度遠大