粗糙化框架对比剖析.pptx

686 –UQFN52 装片胶溢出不良验证 686-UQFN52NT6C-055-CU考核批 x-ray 检查过程中发现装片胶沾染不足 确认所有的不良样品，溢出不良发生在芯片长边边缘，总体沾润率约可达到95% 以上。 Background BOM 确认 芯片尺寸：3.084x 1.26mm 5mil 装片胶：EN4900GC 框架：QFN52LCR RT (粗糙化框架) 难点分析： 1.芯片尺寸不规则，厚度5mil 比较薄 ,100%沾润率 难度较大 作业过程发现： 1. 芯片较薄，溢出高度很难控制，芯片表面非常容易沾污。 2. 框架表面装片胶溢出比较困难。 因此我们怀疑导致装片胶溢出异常的是：粗糙化框架或是EN4900 BOM Information Epoxy LF Coverage Leg 1 9246LB5 QFN52LCR Leg 2 9246LB5 QFN52LCR Leg 3 EN4900GC QFN52LCR RT Leg 4 EN4900GC QFN52LCR RT 再现试验，确定溢出异常的影响因子 Leg 1 Leg 2 使用9246， 框架不一样，相同作业条件下对比胶溢出情况 Leg 3 Leg 4 使用4900 GC， 框架不一样，相同作业条件下对比胶溢出情况 DOE Design QFN52LCR 裸铜表面，未作粗糙处理 QFN52LCR Rough L/F 表面作粗糙处理 框架比较 DOE (L/F Information) 导电胶对比 EN4900GC HITACHI 9246LB5 Yizbond DOE (Epoxy Information) Leg1 VS Leg 2 QFN52 LCR Rough L/F + 9246LB5 QFN52 LCR + 9246LB5 结果显示，普通框架的胶溢出情况好于粗糙化框架 DOE (9246 Epoxy Coverage Comparision) Rough L/F Epoxy coverage Normal L/F Epoxy coverage Leg3 VS Leg 4 QFN52 LCR Rough L/F + 4900GC QFN52 LCR + 4900GC 结果显示，普通框架的胶溢出情况好于粗糙化框架 DOE (4900 Epoxy Coverage Comparision) Rough L/F Epoxy coverage Normal L/F Epoxy coverage Epoxy LF 结果 判定 Leg 1 9246LB5 QFN52LCR 200/200 100% coverage OK Leg 2 9246LB5 QFN52LCR RG 200/200 95% coverage 都在95% 左右 Leg 3 EN4900GC QFN52LCR 200/200 100% coverage OK Leg 4 EN4900GC QFN52LCR RG 200/200 95% coverage 都在95% 左右 框架对比验证总结 粗糙化框架对银浆沾润有影响，普通框架参数不能适用 不同粗糙度框架对比 Epoxy LF(不同粗糙度) Leg5 EN4900GC 1.2 125um dummy die 200只 Leg6 EN4900GC 1.4 125um dummy die 200只 Leg7 EN4900GC 1.2 190umdummy die 200只 Leg8 EN4900GC 1.4 190umdummy die 200只 Leg 5 1.2 LF + 125 um die Leg 6 1.4 LF + 125 um die 芯片厚度125um 的情况下1.2 粗糙度的框架沾润率100%，1.4粗糙度的框架沾润率约95%。 不同粗糙度框架对比（芯片厚度125um） 粗糙度：1.2 粗糙度：1.4 Leg 7 1.2 LF + 190 um die Leg 8 1.4 LF + 190 um die 芯片厚度190um 的情况下1.2 粗糙度的框架沾润率100%，1.4粗糙度的框架沾润率约95%。 不同粗糙度框架对比（芯片厚度190um） 粗糙度：1.2 粗糙度：1.4 Epoxy LF(不同粗糙度) Dummy die 结果 判定 Leg5 EN4900GC 1.2 125um dummy die 200只 200/200 沾润率100% OK Leg6 EN4900GC 1.4 125um dummy die 200只 200/200 沾润率95% 都在95% 左右 Leg7 EN4900GC 1.