AlN低温烧结助剂对陶瓷结构和性能的影响研讨.ppt

* 三．多壁碳纳米管烧结助剂 图3 原料粉及样品AW、样品AM、样品AYC 和样品AMYC 在1 600 ℃烧结4 h 的断面SEM 照片 * 三．多壁碳纳米管烧结助剂 从以上分析可知，烧结助剂Y2O3 和CaF2 的加入有利于晶粒的生长发育，促进致密化，但是MWNTs 对晶粒发育也有一定的抑制作用，可能是MWNTs 与AlN 晶格间的氧反应阻碍晶粒的正常发育所致。 * 三．多壁碳纳米管烧结助剂 在1 600 ℃烧结4 h，样品AMYC的热导率测试结果为138.57 W/(m·K)，与AYC 相比，其相对体积密度在低的情况下，热导率仍然高于AYC 样品的测试结果[133.62 W/(m·K)]，远远高于样品AM 的测试结果[42.12 W/(m·K)]，说明在烧结助剂Y2O3 和CaF2 的基础上，添加多壁碳纳米管能明显提高AlN 陶瓷的热导率，也有可能是少量埋粉中的碳在烧结过程中的渗入提高了热导率，但上述数值与AlN 陶瓷热导率的相对理论值仍差距较大，主要是因为陶瓷的致密度较低，气孔等第二相较多，造成强烈的声子散射，还有AlN 陶瓷晶界之间夹杂微量的Al 氧化物，这些都严重降低了AlN 陶瓷热导率。 *  END! * AlN低温烧结助剂对陶瓷 结构和性能的影响 * 前言 众所周知，AlN陶瓷具有十分优异的性能，主要表现为以下几个方面： (1) 与Al2O3陶瓷相比，热导率较高，是Al2O3的5-10倍； (2) 与BeO陶瓷相比，无毒、无害，有利于环保； (3) 热膨胀系数(4.3×10-6/℃)与半导体Si材料((3.5-4.0)×10- 6/℃)匹配，确保电子元件不因热效应而失效； (4) 电绝缘性能好，介质损耗低； (5)可进行多层布线，实现封装的高密度和小型化。 AlN陶瓷现已广泛应用于电子、冶金、机械、军工等诸多领域。 但AlN属共价键晶体, 通常需要在高温高压下烧结。由于烧结成本太高, 很难推广应用。近年来, 为了减少能耗、降低成本, 开展了低温烧结研究。所谓低温烧结就是在1 600~1 700 ℃之间实现致密烧结, 同时还要去除AlN晶格内的氧杂质，般采用添加碱土金属化合物及稀土化合物，通过液相烧结实现烧结致密化。助烧剂能在烧结初期和中期显著促进AlN陶瓷烧结，并且在烧结的后期从陶瓷材料中部分挥发，从而制备纯度及致密化程度都较高的AlN陶瓷材料及制品。 * 目录 一．单一烧结助剂 二．复合烧结助剂 三．多壁碳纳米管烧结助剂 * 下表1为本文中烧结助剂的编号和配比。如不特殊说明，烧结温度为1600℃，烧结时间4h。 * 一．单一烧结助剂 添加单一烧结助剂试样烧结产物的相对密度，从表2中可以看出，添加单一烧结助剂效果不明显，致密度较差。 * 一．单一烧结助剂 图1 为AY在1600℃烧结4h的XRD图谱 5Al2O3+3Y203→2YaAI5012 * 一．单一烧结助剂 图2 为AC在1600℃烧结4h的XRD图谱 生成Ca-AI-O化合物和Al的氟化物，后者在1600℃时已经挥发，在XRD图谱中没有相关衍射峰，前者最终形成CaAll2019 * 二．复合烧结助剂 三组试样，分别标记为：AW（未添加烧结助剂），AYC (添加3wt% Y2O3- 2wt%CaF2)和AYCL (添加3wt% Y2O3- 2wt% CaF2- 2wt% Li2CO3)。 AW、AYC 和AYCL 在1600℃烧结4h * 二．复合烧结助剂 * 二．复合烧结助剂 * 二．复合烧结助剂 添加3wt% Y2O3- 2wt% CaF2作烧结助剂，采用纳米AlN 粉在1600℃常压烧结4h 制备了较致密的AlN 陶瓷，其相对密度达到98.4%；烧结体晶粒发育完善，呈清晰的多边形状，晶粒之间呈面接触，晶粒均匀性良好，晶界相和气孔极少；该试样具有较低的介电常数，所测热导率为133.62 W/m·K；适当延长保温时间，可以使晶粒继续长大，提高烧结体的热导率。 * 三．多壁碳纳米管烧结助剂 1)单壁碳纳米管(Single．walled nanotubes，SWNTs)：由一层石墨烯片组成。单壁管典型的直径和长度分别为O．75～3nm和1-50um。 2)多壁碳纳米管(Multi．walled nanotubes，MWNTs)：含有多层石墨烯片。形状象个同轴电缆。其层数从2--50不等，层间距为0．34±0．01nm，与石墨层间距(O．34nm)相当。多壁管的典型直径和长度分别为2～30nm和0．1-500um。 * 三．多壁碳纳米管烧结助剂 在Al2O3 基体中加入多壁碳纳