ch01模拟集成电路设计绪论研讨.pptVIP

版图设计与验证 布局:安排模块位置(面积/速度/指标) 电源分布 信号耦合 天线效应 电磁兼容性 可控硅效应 静电保护 焊盘位置、封装 测试探针 版图设计过程中的注意事项： 保证元件参数的变化量在合适的范围 保持元件之间的匹配（使相关元件有相似的变化趋势，如：温度、几何形状、隔离、接触孔…） 减小分布参数（缩短信号线长度、减小耦合电容…） 提供足够的电流密度裕量 注意噪声的消除（信号屏蔽、器件隔离…） 减小芯片面积 设计规则检查（DRC） 对版图进行几何规则检查，使得设计的电路可以被制造出来。 电气规则检查（ERC） 检查电源地的短路，开路，浮空的器件、浮空的网络… 一致性校验（LVS） 检查版图和电路图的一致性 RC分布参数提取 版图最终设计结果 一些应该掌握的基本概念、方法 基本理论： KCL,KVL 戴维南定理、诺顿定理 电阻、电容基本特征 信号、时域、频域分析 小信号分析、模型及参数 放大器的四种模型 （1） 放大器的四种模型 （2） 放大器的四种模型 （3） 放大器的四种模型 （4） Avo Ais Gm Rm Avo= Ais= Gm= Rm= 各种放大器模型间的变换 放大器 信号源 信号源内阻 负载 放大器及外围电路 放大器固有参数： 放大器参数： 频率响应初步 1 系统传递函数F(s) 2 极点和零点 Z1,Z2,…,Zm称为传递函数的零点 P1,P2,…Pn称为传递函数的极点 am乘积系数（直流增益） 3 幅频特性、相频特性、波特图 4 波特图 大信号分析及参数 1 工作点 对于CMOS放大器其工作点（栅、源、漏极）的电压应当使得起放大作用的MOS管进入饱和区。 从工作点分析可以得到栅、源、漏极电压的变化范围、输入信号和输出信号允许的变化范围。 2 输入信号幅度 输入小信号的变化范围应当小于放大管的过驱动电压的5分之一。 3 输出信号幅度 输出小信号的变化范围应当在工作点分析得到的允许变化范围之内 4 功耗 CMOS放大器的平均功耗为直流工作点的漏极电流导致的功耗。 * 模拟CMOS集成电路设计 张博 zhangbo@xupt.edu.cn 模拟CMOS集成电路设计 [美] 理查德·拉扎维 著西安交通大学出版社 第一章模拟集成电路设计绪论 自然界信号的处理 （a）自然界信号的数字化 （ b）增加放大器和滤波器以提高灵敏度 高速、高精度、低功耗ADC的设计是模拟电路设计中的难题之一 高性能放大器和滤波器设计也是热点研究课题 数字通信 数字信号通过有损电缆的衰减和失真 失真信号需放大、滤波和数字化后才能处理 数字通信 使用多电平信号以减小所需的带宽 10 11 01 00 1 0 组合二进制数据 多电平信号 确定所传送电平 DAC ADC 传送端 接收端 磁盘驱动电子学 存储数据 恢复数据 硬盘存储和读出后的数据 无线接收机 无线接收天线接收到的信号(幅度只有几微伏)和噪声频谱 接收机放大低电平信号时必须具有极小噪声、工作在高频并能抑制大的有害成分。 光接收机 光纤系统 转换为一个小电流 高速电流处理器 激光二极管 光敏二极管 传感器 (a) 简单的加速度表 (b) 差动加速度表 汽车触发气囊的加速度检测原理图 为什么是模拟CMOS集成电路设计 首先，MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比较），现在几GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。 SOC芯片中同时包含有大量的模拟、数字电路，由于CMOS以其低成本、低功耗已成为现代大规模数字集成电路设计及制造的首选，与数字集成电路技术兼容的CMOS模拟集成电路技术可降低SOC芯片的制造及封装成本。因此CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。 CMOS技术的发展及展望 时间 1980 1983 1982 1989 1995 2001 2004 2010 L(μm ) 3.0 2.0 1.2 0.5 0.35 0.18 0.13 0.07 电源电压（V） L 模拟设计困难的原因 模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷，而数字电路只需在速度和功耗之间折衷。 模拟电路对噪声、串扰和其它干扰比数字电路要敏感得多。 器件的二级效应对模拟电路的影响比数字电路要严重得多。 高性能模拟电路的设计很少能自动完成，而许多数字电路都是自动综合和布局的。 模拟设计困难的原因 模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果。 现代集成电路制造的主流技术是为数字电路开发的，它不易被模拟电路设计所利用（如特征尺寸减小导致器件迁移率下降、沟道调制效应增大；电源电压的下降使以前的一些电路设计技术受到限制等），为了设计高性能的模