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第十二章 表面微细加工技术 12.1 常用微细加工技术简介 微细加工是一种加工尺寸从微米到纳米量级的制造微小尺寸元器件或薄膜图形的先进制造技术。 根据加工机理不同，可以将微细加工技术分为三类： 1）分离加工：将材料的某一部分分离出去的加工方式； 2）结合加工：指同种或不同种材料的附加或相互结合的加工方式； 3）变形加工：使材料形状发生变化的加工方式。 12.1.1 光刻加工 1、光刻加工原理 光刻是集成电路制作工艺中的关键技术，它是将图像复印与化学腐蚀相结合的表面微细加工技术。 其原理和印刷的照相制版相似，即在硅等基体材料上涂覆光刻胶，接着利用分辨率极高的能量束来通过掩模对光刻胶层进行曝光。经显影后，在光刻胶层上获得了和掩模图像相同的极微细的几何图形，再利用刻蚀等方法在工件材料上制造出微型结构。 光刻胶又称光致抗蚀剂或感光胶，是一类经光照后能发生交联、分解或聚合等光化学反应的高分子溶液。 掩模是一块印有所需加工图形的透光玻璃底版，可通过电子束曝光法将计算机设计的图形转换到掩模上。 2、光刻加工工艺 集成电路是将互相连接的电路元件按规定的位置制作在半导体基片上。集成电路芯片的制作过程精细而复杂，需要经过外延、沉积、氧化、扩散、离子注入等工艺制造出十分精细复杂的多层立体结构。 光刻工艺基本过程：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→腐蚀→去胶 1）涂胶 将清洁处理过的Si片放在一个高速旋转的平台上，在Si片中心滴一滴光刻胶，由于离心力和胶表面张力的同时作用，在SiO2膜表面形成一层厚度均匀的胶层。 光刻胶是一种对光敏感的高分子有机化合物，由光敏化合物、树脂和有机溶剂组成。 2、前烘 将涂好胶的Si片在70摄氏度左右的温度下烘烤10min，使光刻胶中的溶剂缓慢而充分地挥发掉，保持光刻胶干燥。常用红外线加热或热板前烘烤方法。 3、曝光 将掩模覆盖在光刻胶层上，或将掩模置于光源与光刻胶之间，用紫外光等透过掩模对光刻胶进行选择性照射。光刻胶受到照射的部分就发生了光化学反应，从而改变了这部分光刻胶的性质。曝光时，准确的定位和严格控制曝光强度与时间是影响光刻精度的关键因素。 4、显影 将曝光后的Si片在显影液中浸泡数十秒，则负性光刻胶的未感光部分将被溶解，从而使掩模上的图形被完整地复制到光刻胶上。显影后一般应检测图形是否套准，是否符合质量要求。 5、坚膜 显影完并经清洗后，对有光刻胶膜图像的Si片再次烘烤，称为坚膜。此过程是为了排除光刻胶膜中残留的显影液和水分，使胶膜硬化并使其与SiO2膜有更好的黏附性，并提高胶膜的耐刻蚀能力。坚膜一般是在180~200摄氏度的温度下烘烤大约30min左右。 6、腐蚀 对坚膜后的薄膜进行腐蚀处理。由于在SiO2层上方留下的胶膜具有抗腐蚀性能，所以腐蚀时只是将没有光刻胶膜保护的SiO2薄膜部分腐蚀掉，而光刻胶及其覆盖的SiO2薄膜部分则被完好地保存下来。腐蚀液腐蚀和等离子体腐蚀。 7、去胶 腐蚀完成后，将留在SiO2薄膜上的胶膜去掉。去胶方法主要有：溶剂去胶、氧化去胶和等离子去胶。 3、超细线条曝光技术 1）远紫外光曝光技术：远紫外光的波长为200~300nm，与常规光刻曝光工艺中采用的400nm左右的紫外光相比，光的波长缩短一半左右，因此，可以获得更高分辨率的光刻线条。 2）电子束曝光技术：电子束曝光是利用电子束在涂有光刻胶的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。电子束曝光系统的加速电压通常在10~50kV之间，其相应的电子束波长范围为0.005~0.01nm。如此短的波长就克服了衍射效应的限制，从而使电子束曝光具有极高的分辨率，其极限分辨率可达3~8nm。 3）离子束曝光技术：离子的质量比电子大，在光刻胶和基片中的散射小，所以离子束曝光的分辨率比电子束曝光高。 4）X射线曝光：X射线曝光光源的波长为0.1~1.4nm，比紫外光短2~3个数量级，用作曝光源时可提高光刻图形的分辨率，可以刻出0.02微米的细微线条。 12.1.2 LIGA微细加工技术 LIGA能在微米级制造平面尺寸，高宽比大于200的三维微形立体结构件；而且加工的材料比较广泛，可以是金属、陶瓷和塑料等材料，尤其适合进行高重复精度的大批量生产。 1、LIGA的工艺过程 LIGA是德文的光刻照相（Lithographie）、电铸（Galvanoformng）、模铸（Abformung）三个词语的缩写，依次表示了该工艺的三个加工过程：深度同步辐射X射线光刻、电铸成形和注塑成形。 1）深度同步辐射X射线光刻 2）电铸成形：电铸成形是根据电镀原理，在胎膜上沉积相当厚度的金属以形成零件的方法。胎膜作为阴极，要电铸的金属作为阳极。 3）注塑成形：注塑则是利用电铸得到的金属微结构作为二级模板，在模板中注入塑性材料，便可得到塑性微结构件。反复进行电铸和注塑，即可加