宽禁带半导体电力电子器件研讨.pptVIP

中国科学院微电子研究所宽禁带半;主要内容一、 国内外发展现状与;宽禁带半导体材料优越的物理化学;器件产生的损耗减少(导通电阻减;表2 不同结构的SiC 电力电;电力电子器件的发展趋势：一、 ;3 研究内容 二、 研究内容、;3 研究内容 二、 研究内容、;三、 研究目标、技术指标 Si;技术路线：四、 研究方法、技术;（1）SiC器件物理和器件结构;（2）SiC器件制备关键技术研;（2）SiC器件制备关键技术研;四 研究基础在SiC器件的工艺;谢 谢！;四 研究基础中国科学院微电子研;主要内容一、 国内外发展现状与;对于IGBT器件，影响器件的阻;研究场限环、结终端延伸等终端保