信息转换与传输研究.ppt

第一节 信息转换;2、人类感官获取信息的局限性;(a) 简单感测系统模型;（a）视觉与光传感器;（c）触觉与与温度、压力传感器;此外，从工程应用的角度考察，还应注意传感技术的下列发展动向：; α射线——带2个正电荷的高速α粒子流。α粒子的质量为4.002775原子质量单位，从原子核中以2×104km/s的速度射出，其初始能量达(5～9)×106eV。 α射线主要用于气体分析，测量气体压力、流量等。;1) 比例计数器（原理与盖革计数器类似）;3) 闪烁计数管（由闪烁晶体和光电倍增管组成）;【工程实例 1】轧钢过程中检测钢板厚度;2、超声波检测;★ 利用压电效应的可逆性，换能器可身兼“发射”和“接收”二职。;（3）超声波检测应用实例;示波器原理：;3、声发射（Acoustic Emission, AE）检测; ● 70年代以来，AE技术广泛用于宇航、原子能、化工、冶金、建筑、机械等部门。1）美国对300架F-111型飞机整???进行AE实验，表明AE监视系统可提供足够的数据来判断有无裂纹或有无已损坏的螺栓、铆钉、托架、转轴，以及润滑情况、起落架工作情况等。2）用于监测燃汽轮机、电机、鼓风机、水轮机、海洋采油设备、桥梁、飞机跑道、地下管道等是否存在异常。近年来，AE技术被用于监测刀具折损、磨损、破损等情况。; ★ 声发射波在到达传感器之前，将有界面的反射、波模式变换、衰减等现象，其中一部分到达传感器，一部分到达固体表面，经表面吸收和反射，有部分能量转换为表面波。所以，声发射波到达传感器时，应是几种模式的波（纵波、横波、表面波）的叠加。;★ 声发射传感器（多为压电谐振式结构）; 压电谐振式声发射传感器——在声发射波的激发下，压电晶片沿纵向极化。声发射传感器的工作频带是在谐频区，一般为60～2000kHz，谐振频率大小取决于传感器壳体及压电晶片结构尺寸和材质。; ★ 金属材料变形时的AE信号特征：一个共同的特征：在塑性变形区的AE信号表现出一个驼峰。这是AE信号被作为监测机械构件工作状态的重要依据。所谓AE信号的预知性，就是在构件破坏之前的峰值特征。;4、光纤传感器; ★ 光纤传感器特点：信息容量大、抗干扰性强、体积小、可弯曲、灵敏度高以及耐高压、耐腐蚀、动态非接触测量等。;【例1】 敏感元件型光纤压力传感器;（2）结构型;5、固体图像传感器; ★ CCD的基本单元是MOS（Metal-Oxide-Semiconductor 金属-氧化物-半导体)电容器。若在某一时刻金属电极上加正向电压UG，p-Si中的多数载流子（在此为空穴）便会受到排斥，于是，在Si表面处就会形成一个耗尽区。在一定条件下，UG越大，耗尽区越深。这时，Si表面吸收少数载流子（在此是电子）的势（即表面势US）也就越大。可见，这时的MOS电容器所能容纳的少数载流子电荷的量就越大。据此，可以用“势阱”来比喻MOS电容器在UG作用下存储信号电荷的能力。习惯上，把“势阱”想象为一个桶，把少数载流子（信号电荷）想象为盛在桶底的液体。;★ 电荷存储：在栅极G施加正偏压之前，P型半导体中空穴(多数载流子)分布是均匀的。当栅极施加正偏压Ug(此时Ug小于P型半导体的阈值电压Uth)后，空穴被排斥，产生耗尽区，如图(b)所示。偏压继续增加，耗尽区将进一步向半导体内延伸。当UgUth时,半导体与绝缘体截面上的电势(常称为表面势,用Φs表示)变得如此之高,以至于将半导体内的电子(少数载流子)吸引到表面,形成一层极薄的(约102μm)但电荷浓度很高的反型层,如图(c)。反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。;★ 电荷的注入：CCD的电荷注入方法归纳起来可分为光注入和电注入两类; ★ CCD的电荷转移过程 任何可以移动的少数载流子（信号电荷）都将力图堆向表面势最大的位置。若用势阱比喻，则它们都将流向桶的底部。; 【应用实例】测量热轧铝板宽度 对于2m宽的热轧板，测量精度可达板宽的±0.025%.;三、传感器的标定;动态标定：测定传感器的动态特性，根据频率响应或脉冲响应，确定传感器的通频带、工作频带、谐振频率、阻尼比和相位特性等。工作频带——传感器灵敏度保持为常数的频率范围，一般在阻尼比ζ=0.707时，工作频带的上限频率ωmax与谐振频率ωn的关系为ωmax=0.58 ωn。;频谱分析：;（1）横向灵敏度;【实例】 切削力测量系统;根据时域卷积定理：; Aij是由标定曲线求得的，描述了各向传输通道的静态特性。当i=j时，Aij 表示输出与输入为同向时的灵敏度；当i≠j时，则表示非同向时的灵敏度，即横向灵敏度或干扰度。;补偿网络;四、传感器选用原则; ● 稳定性——传感器经过长期使用后，其输出特性不发生变化的性能。影响传感器稳定性的因素是时间与环境。;