模拟电子电路第5章解答.ppt

*;*; 器件结构 ; 器件结构 ;5.1.1工作模式;5.1.2 工作在放大模式下的npn晶体管;发射极电流;集电极电流;基极电流;电流方程;参数： 共基极电流直流传输系数;参数： 共发射极电流增益的说明; BJT的电路符号;*;当VCE在0～0.3V间变化时，IB变化较大，此时晶体三极管工作在饱和模式 当VCE大于0.3V时，晶体三极管工作在放大模式，理想情况下电流IB应不随VCE变化，但基区宽度调制效应的存在使得当VCE增大时，IB略有减小。 ;共发射极输出特性曲线族;共发射极组态的输出特性曲线;厄尔利效应——基区宽度调制效应;厄尔利效应;三极管的主要参数;三极管的主要参数;三极管的主要参数;三极管的安全工作区;单电源供电的经典BJT偏置方法;单电源供电的经典BJT偏置方法;单电源供电的经典BJT偏置方法;双电源供电的经典偏置设置;5.5.4恒流源的偏置; 直流分析与信号分析的分离; 直流分析与信号分析的分离;5.4晶体管电路的直流分析;例题5.1;回路方程 假设BJT工作在放大区，则 集电极电压为 验证 假设成立。;方法二: (近似估算)，假设BJT工作在放大区若 ，则可认为分压电流远大于基极电流，基极电流的分流忽略不计，即 则 假设成立。 ;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*