我的--第四章化学气相沉积课程方案.ppt

化学气相沉积;化学气相沉积发展历程 化学气相沉积的基础 化学气相沉积合成方法的适用范围 化学气相沉积工艺及设备 化学气相沉积工艺参数 化学气相沉积方法应用举例 ;化学气相沉积发展;化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 ;化学气相沉积与物理气相沉积的区别; 古人类取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层 → 中国古代炼丹术中的“升炼”（最早的记载）→20世纪50年代现代CVD技术用于刀具涂层（碳化钨为基材经CVD氧化铝、碳化钛、氮化钛） →20世纪60、70年代半导体和集成电路技术、超纯多晶硅。 →1990年以来我国在激活低压CVD金刚石生长热力学方面,根据非平衡热力学原理，开拓了非平衡定态相图及其计算的新领域，第一次真正从理论和实验对比上定量化地证实反自发方向的反应可以通过热力学反应依靠另一个自发反应提供的能量控动来完成;CVD技术的分类;CVD 对原料、产物及反应类型的要求;原子/分子水平上化学合成材料－高度适应性和创新性 高纯度材料－基于CVD源可以通过气相过程得到高纯度 组成和结构可控性－制备工艺重现性 广泛的适应性与多用性 材料制备与器件制作的一致性 设备较简单、操作简易、易于实现自动控制;化学气相沉积的基础;－热解反应; 金属有机化合物：金属的烷基化合物，其M-C键能一般小于C-C键能[E(M-C)＜E(C-C)]，可用于淀积金属膜。元素的烷氧基化合物，由于E(M－O)＞E(O－C)，所以可用来沉积氧化物。; 氢化物和金属有机化合物体系，已成功地制备出多种化合物半导体; 其它气态配合物和复合物这一类化合物中的羰基化物和羰基氯化物多用于贵金属(铂族)和其它过渡金属的沉积。; 以金属有机化合物作为前驱物，前驱物经历分解或热解反应生成薄膜。适合制备单组分、多组分半导体材料、光电材料、氧化物、金属等薄膜材料。 特点： 沉积温度低，减小高温对衬底及薄膜表面的破坏。 缺点： 前驱物价格昂贵，合成、提纯过程困难。 多数前驱物为挥发性液体，采用水浴、油浴或气体鼓泡的方式供给，需要精确控制压强。 对前驱物的要求高（挥发性、稳定性、分解）。; SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) (1200°C) WF6(g) + 3H2(g) W(s) + 6HF(g) (300°C) MoF6(g)+ 3H2(g) Mo(s) + 6HF(g) (300°C) SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g) (1200°C);工业制备半导体级超纯硅(9个9); SiH4(g) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g) (450°C) 4PH3(g) + 5O2(g) 2P2O5(s) + 6H2(g) (450°C) SiCl4(g)+2H2(g)+O2 (g) SiO2(g)+4HCl(g) (1500°C); SiCl4(g)+ CH4(g) SiC(s)+ 4HCl(g) (1400°C) TiCl4(g)+ CH4(g) TiC(s)+ 4HCl(g) (1000°C) BF3(g) + NH3(g) BN(s) + 3HF(g) (110°C) 3SiCl2H2+4NH3(g) Si3N4 (s)+6H2(g)+6HCl(g) (750°C);不受源的性质影响，适应性强.; 300°C 2GeI2(g) Ge(s) + GeI4 (g) 600°C Ge, Al, B, Ga, In, Si, Ti, Zr, Be, Cr 的卤化物;6. 可逆的化学输送反应(Reversible Transfer); 上述气体介质叫做输运剂，所形成的气态化合物叫输运形式。;CVD 反应室;CVD化学反应原理的微观和宏观解释;理论模型---边界层理论; 在化学气相沉积过程中，衬底表面的气体也要形成相应的边界层，由于在边界层内，气体处于一种流动性很低的状态，而反应物和反应产物都需要经过扩散过程通过边界层，因此边界层的存在限制了沉积的速度。根据 ; 气流; 提高Re，可以