第四章MOCVD的流量控制与外延膜研讨.pptxVIP

第四章 MOCVD的流量控制与外延膜质量控制;Main Contents;4.1 MOCVD反应腔体流量控制;MOCVD反应腔体控制结构;五大部分（系统）;② 加热发生器;③冷却系统 ;④真空系统 ;⑤尾气处理系统 ;4.1.2 MOCVD腔体气体流量的控制;MOC VD管路图;4.1.2.1 气路流量控制器件;而在气路硬件方面，主要有经过化学抛光的不锈钢管道、气体纯化器、流量控制器MFC、压力控制器PC、电磁阀和气动阀及对金属有机源实现温度控制的水浴恒温槽等组成。气体控制系统的主要作用是通过控制压力和流量控制器，调节气路上各种阀门的开度，从而达到控制各种气源配比的目的，并通过管道向反应室输送反应剂，为保证反应剂的纯度，要求管道的密封性要很好。如图4-2所示。 输运管道：气体输送管道是用电解抛光的不锈钢管子来输送气体的。除了一些气体过滤器的隔膜之外，在气体输送管道系统中没有塑料部件。对于一些危险气体经常要用双层管子，比如氯气、砷化氢等特殊气体。双层管子的内层管壁经过电解抛光来尽可能地减少沾污。被电解抛光的不锈钢内表面修整会带一层很薄的铬，这是因为铬不是很活泼，扩散出的微粒很少。 气体纯化器（purifier）：在液化过程中安装纯化器，按杂质的类型采取化学方法或冷冻方法或物理吸附方法去除杂质，达到气体纯化的目的。 ;在膜的生长过程中，进入腔内的气体都要先经过纯化器的纯化的作用，去除杂质，以达到更高的纯度。如图4-3为钯膜纯化器纯化原理和生长GaN外延膜气源流经示意图。; 根据张晓丹等人[1]的纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构实验得出在使用纯化器后可制备高质量的非晶硅材料，光敏性强的膜。另外，沉积速率的测试结果表明：纯化器的使用与否明显地影响着耗尽区的位置。由此可看出纯化器在气流中的重要性。 很多半导体和电子等行业使用的超高纯氢气(6N)，主要是采用金属钯膜纯化制备的，但会消耗大量昂贵的钯金属。而N2现在开始使用的分子筛吸附是一种循环再生过程，当流体流过时，一些分子由于做不规则运动被吸附剂表面有选择性吸附，从而达到分离、清除目的。由于吸附不发生化学变化，经解析或再生后，分子筛就又具有吸附能力。在大规模的纯化量需求下，显示出它的性价比。;质量流量控制器（MFC）：质量流量控制器是气体进入反应腔一个流量的实时监测，控制进入腔体的各成分比例和流速。MFC由质量流量计（分流器通道、流量传感器和放大电路等部件组成）、控制器（包括调节阀门和PID控制电路）组成。参考图4-4为MFC。 ;对进入工艺腔中的气流的控制要精确且可重复，可以控制混合气体的比例成为制造LED行业的一个关键。对于MOCVD设备的气流控制，一般采用质量流量控制器（MFC）来控制各成分的比例和流入速率，另外残气分析器（RGA）也是工艺腔设备用于检测残留气体的一个重要部分。 残气分析仪（Residual Gas Analyzers）RGA：在真空环境中检测当前气体的组成以及测量总的压力。残气分析仪是一个小体积的质谱仪，可直接连接在真空系统上，所有残气分析仪的工作原理都是一样的：一小部分的气体分子被离子化（阳离子），继而根据质量数的不同被分离，检测。 残气分析仪广泛应用于残气环境中不同气体分子的快速鉴定，通过适当的校准，可用于测定不同气体浓度或者每个气体组分的绝对分压。 压力控制器PC：压力控制器是气流管道中很重要的一个控制器。主要辅助流量控制器MFC进行流量的控制。;4.1.2.2 气路管路控制过程;烷类化合物;1、下面详细介绍烷类化合物、MO源气体的管道气流控制 ①烷类化合物 烷类化合物气流在载气氢气的作用下进入腔内，其示意图如下图4-5;②金属有机源（MO源） MO源一般以载气作为携带将MO源中的气体携带出来。如图4-6所示。; MO源有两种状态，一种为固态（如TMIn），一种为液态（如 TMGa、TMAl），一般用钢瓶保存如图4-7所示。钢瓶的温度决定了金属有机源蒸汽压的大小，并由此决定了被携带进反应室的金属有机源的量。通过调节钢瓶的温度即可控制MO源的蒸汽压。对于钢瓶温度的控制，业界主要采用恒温水浴槽来进行控制，控制精度可以达到±0.1℃甚至更高，一般各MO源钢瓶在恒温槽中的存放温度。 ;金属有机物的液体或固体的输送速度取决于温度和金属有机物鼓泡瓶载气通过的流速和鼓泡瓶的压力。源的流量能表示为 ? 式中， 是金属有机物源的摩尔流速， 是通过鼓泡瓶载气的摩尔流速， 是金属有机物源在温度T时的蒸气压， 是金属有机物鼓泡瓶内的总压力。 MO源气体的输送过程是通过载气H2/N2的气压将MO源里的金属有机物带出瓶外，主要通过MFC质量流量控制器、PC压力流量计来控制流入反应腔的量如图4-8、4-9。每个MO源都由Run和Vent路组成，双向阀决