计算机组成原理多层次的存储器预案.ppt

计算机组成原理 武汉科技大学 计算机科学与技术学院 ;第三章 多层次的存储器;3.1 存储器概述;4. 按信息易失性分 ;半导体存储器类型;3.1.2 存储器的分级;各级存储器之间的关系;3.1.3 主存储器的技术指标;指　标 ;3.2 SRAM存储器;3.2.1 基本的静态存储元阵列;地址译码器 ——双译码(二级译码) x向(A0~A7 ) 、y向( A8~A14 );3.2.3 读/写周期波形图;例1：SRAM的写入时序如图。其中R/W是读/写命令控制线，当R/W线为低电平时，存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。请指出该写入时序中的错误，并画出正确的写入时序图。;3.3 DRAM存储器;3.3.1 DRAM存储元的记忆原理;与SRAM相比，增加的部件：;1. 读周期、写周期 ——从RAS下降沿开始，到下一个RAS的下降沿为止的时间(连续两个读周期的时间间隔)，通常取读周期=写周期;2. 刷新周期 刷新周期：典型值2ms、8ms?16ms；某些器件可大于100ms 刷新操作以行为单位进行 刷新方式 集中式刷新 分散式刷新 异步式刷新;集中刷新方式;分散刷新方式;异步刷新方式;3.3.4 存储器容量的扩充;用8K×1的存储器芯片组成8K×8位(位扩展)????;用16K×8的存储器芯片组成64K×8位(字扩展);用16K×4的存储器芯片组成64K×8 (字位同时