化学气相沉积论述.pptx

化学气相沉积;1、化学气相沉积的概念。 2、化学气相沉积的基本过程及其制备薄膜的基本原理。 3、化学气相沉积系统的分类。 4、化学气相沉积非晶硅（或多晶硅、二氧化硅）薄膜的方法与特性。 ;1、化学气相沉积的概念; CVD法制备薄膜材料是近年来半导体、大规模集成电路应用较成功的一种工艺方法。主要用于硅、砷化镓材料的外延生长、金属薄膜材料、表面绝缘层、硬化层等，用于一些如氧化物、碳化物、金刚石和类金刚石等功能薄膜和超硬薄膜的沉积，也用于粉末、块状材料、纤维等的合成，正成为电子、机械等许多工业领域重要的材料合成方法。 而CVD技术的主要缺点是需要在较高温度下反应，基体温度高，沉积速率较低（一般每小时只有几微米到几百微米），基体难于进行局部沉积，参加沉积反应的气源和反应后的余气都有一定的毒性等，因此CVD工艺的应用不如溅射和离子镀那样广泛。近年出现的兼有化学气相沉积和物理气相沉积特性的薄膜制备方法，例如等离子体气相沉积法，也在工业中得到越来越广泛的应用。 ;对物理气相沉积（PVD）法，一般来说靶是什么材料，沉积的膜就是什么材料，沉积过程中基本上不发生化学反应。化学气相沉积是一种化学气相生长法，是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基体的反应室，借助气相作用或基体上的化学反应生成所希望的薄膜。它可以方便地控制薄膜组成，制备各种单质、化合物