原创力文档- 1、本文档共17页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
利用少子寿命仪对多晶硅晶体
缺陷的快速量化表征;0 引言;传统多晶硅晶体缺陷表征方法 —金相显微镜法;2 少子寿命仪—常用的测试方法;少子寿命复合原理;;;;;3 PL与位错腐蚀与少子花纹对比;硅块腐蚀;4 少子花纹软件设计; 少子花纹软件计算结果;5 少子花纹与电池效率的关系;高效硅锭
（整锭花纹比例 5%，
整锭电池效率17.8%）;1）少子寿命的花纹是位错的表现形式，少子花纹的比例代表了位错密度。
2）少子花纹比例与电池转换效率呈现明显的对应的关系。花纹比例低则转换效率亦高，反之亦然。
3）首次提出了一种新的多晶硅缺陷的快速量化表征的方法，特别是适合于大规模工业在线测试。;谢谢！
文档评论（0）