使用相位滞后方法对EC-GMR输出进行缺陷分类论述.docx

使用相位滞后方法对EC-GMR输出进行缺陷分类论述.docx

  1. 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
使用相位滞后方法对EC-GMR输出进行缺陷分类 Peng Gaoa,Chao Wang, Ya Zhi Yang Li 摘要:涡流检测(ECT)是无损检测的重要方法。缺陷分类是ECT一个具有挑战性的问题。在本文中,我们提出在该相位滞后,采用的方法,以及为了检测深亚表面缺陷,巨磁阻传感器被选择为检测磁场的缺陷的影响。磁场强度的相位被用于帮助缺陷分类。结果从实验中进行了显示,该方法是有效的。 关键词:涡流检测;缺陷检测;巨磁电阻;缺陷分类 1.介绍 涡流检测(ECT)是在非破坏性测试,它用于在许多行业中重要的方法之一。[1]缺陷分类是ECT一个充满挑战和显著的问题,它总是进行下测试,以结构为经营决策,如维修和更换操作。 有许多类型的缺陷分类的并且它们进行根据不同的实际工业要求。[2-5]的一个重要类别是准确的表面和亚表面缺陷区别开来。[6,7]为了做到这一点,许多功能进行了研究,包括上升点,[8]频谱分割处,[9]峰值,高峰时间,[10,11]交叉时间和微分时间达到峰值。[12] 其他数据为基础的特征提取方法是基于小波变换的主成分分析(PCA),[7]希尔伯特变换,[13] PCA,[10]独立成分分析[14]和核主成分分析。 [15]为了分类的目的,一些技术被使用,诸如支持向量机。 [15]田等人。已经做了很多有益的工作表面和亚表面的分类。[7,8,10,11,13,14]分类的准确度得到了提高,但许多功能无法通过物理意义解释。 本文的主要目的是基于谐波激励和巨磁电阻(GMR)传感器上的表面和亚表面缺陷进行分类。为了检测的深缺陷的磁场,GMR传感器被采用。[16-21]幅值和磁场强度的相位被用于表面和亚表面缺陷进行分类。 2.检测原理和方法 电流励磁线圈中产生感应电流的导体,即涡流(ECS)。下的缺陷的情况下,内皮细胞被干扰和磁场是由有缺陷的的EC产生。涡流巨磁电阻(EC-GMR)传感器和样本的示意图示于图1。 图1 EC GMR传感器和试件示意图 图2.(a)表面缺陷的磁场;(b)内部缺陷的磁场 幅度和磁场强度的相位是因为缺陷的不同位置的不同。两个主要因素影响的磁场强度。首先,缺陷的深度影响EC。其次,表面缺陷磁场拾取由传感器直接,但磁场的亚表面缺陷,在图2(b)所示,通过将厚度LH的,这会导致额外的相位滞后的导体。因此,在使用磁场传感器诸如GMR传感器,缺陷可以通过测量磁场强度的振幅和相位进行分类。 GMR传感器垂直裂纹长度的检测轴总是用来定量检测缺陷。[22]在检测过程中,GMR的感测轴线保持与探针的移动方向平行,并且在本文中,我们也使用这种扫描模式。 如图1中,在测量点的磁场是由欧共体所产生的磁场是由缺陷的干扰的总和。由于GMR传感器方向性的[23],仅在感测方向上的磁场可以被检测到,其示于图2,并在y轴的磁场被考虑在内。在[24],在y轴的磁场强度,可以从下面的等式得到: 没有处理的坐标(x,y,z);?; ZTH代表观察点;在引坐标TH代表的来源; R表示从源到观察点中的任意点的距离; JX和JZ是电流密度在x和z方向,分别;和b是相位常数,其可以被计算为在良好的导体以下: 其中w是所述角频率,u是渗透性和是导电性。 电流密度JZ,这降低了在幅度作为波传播到所述导体,由下式给出[25] 这里Jz0表示在表面Z方向的EC密度和 在检测过程中,GMR的感测轴线保持与探针的移动方向平行。这导致一个事实,即GMR仅能够检测沿y方向的分量。在x和z方向分量垂直于感测轴,这意味着它们对传感器的输出没有影响。此外,由于该扁平线圈的对称性,在Jx的方向上的电流的幅度相同,但方向相反,从而在GMR输出Jx的地方没有影响。 表面缺陷,EC围绕缺陷变化的缺陷的增加的深度。图3示出了用于表面缺陷的EC,其示于图2的坐标系。 图3.坐标系表面缺陷 根据公式(1)中,在点(0,0,0),沿y轴的磁场强度是; 其中,L和b是EC区域的长度和宽度,分别与LD是EC区域的深度。 对于亚表面缺陷,周围的缺陷的EC生成能够由GMR传感器来检测磁场;然而,如图2(b)所示,GMR的感测轴线保持与探针的移动方向平行。所以GMR是仅能够检测沿y方向的分量。在x和z方向分量垂直于感测轴,这意味着它们对传感器的输出没有影响。此外,由于该扁平线圈的对称性,在Jx的方向上的电流的幅度相同,但方向相反,从而在GMR输出Jx的地方没有影响。图4示出了用于子表面缺陷内皮的坐标系。在点(0,0,0),沿y轴的磁场强度是 图4.坐标系统对于表面缺陷 其中,L和b是长度和宽度ES区域分别; LH是表面和裂缝之间的距离;和LT是被测样品的厚度。 方程(4)和(5)使用的是数值积分来计算。参数被给出如下:和 图5.幅值曲线具有不同深度(f=500Hz,Al)(一)的表面缺陷;(二)

文档评论(0)

a336661148 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档